用R—DCIV方法研究MOST过渡层影响.pdfVIP

2010年 第 6期总 第 317 用R—DCIV方法研究MOST过渡层影响 史振江 ，陈祖辉 (厦 门大学 福建 厦 门 361005) 摘 要 ：为了研究M0S晶体管中过渡层对于电学特性的影响，通过采用电子一空穴复合 的直流 电压电流特性方法，改变 MOST过渡层不同的参数 ，画出其界面 电子一空穴复合的直流电流电压特性曲线，分析比较有无过渡层 曲线的变化情况来讨 论MOST的电学性质。通过分析得出过渡层对于晶体管的影响较小，在工业生产可以接受的误差范围之 内，因此在工业生 产中不必再刻意考虑过渡层对 M0S晶体管造成不利影响。 关键词 ：金属氧化物 晶体管；直流 电压 电流特性 ；二氧化硅层 ；过渡层 中图分类号 ：TN321 文献标识码 ：A 文章编号：1004—373X(2010)06—181一O4 EffectsOfM OST Transition LayerBasedOnR 一DCIV - SHIZhenjiang。CHENZuhui (XiamenUniversity．Xiamen，Xiamen，361005，China) Abstract：Theeffectsofthetransitionlayeroftransistorareintroduced．Weatherornottheeffectsofthetransitonlayerof transistorshouldbeconsideredwhenparametersofthetransistorveriedintheindustry．Theveriesaresimulatedbycomputer program．TheRecombinationDCCurrent—Voltage(R—DCIV)IB／lapk— Bcurvesaredrew oncomputer．Thentheeffects from variationattheSiO2／siinterfaceofthedopantimpurityconcenttrationPlM，oxidethicknessXoxandtheinjeetedminority carriersV areanalysedthroughthelineshapeoftheR—DCIVlB／iBDk—V6Bcurves．Aconclusionthattheeffectsofthetransi— tionlayeroftransistorareSOlittlethatcanbeacceptedintheindustry． Keywords：most；R—DCIV ；Si02layer；transitionlayer 自1960年金属氧化物MoS晶体管引入以来，二氧 (1fA=10 A)，这大约是每秒钟 6000个电子。这里 化硅在晶体管的电学性质和可靠性方面扮演着非常重要 就是通过使用电子一空穴复合的直流电压 电流特性 (R— 的角色。理论模 型上普遍认为在衬底 Si与二氧化硅层 DCIV)方法来研究过渡层对 MOST 的 电学性质 的 直接相连_1]，但在工艺上采用干氧化法来得到二氧化硅 影响。 层，那么在衬底硅与二氧化硅层之间会有一层硅与二氧 1 理论模型与研究方式 化硅共存的过渡层，这个过渡层也许只有一个原子层或 者是几个原子层，但随着晶体管的尺寸持续缩小，集成电 由图 1[6可知 (图中 S为 Source，G 为 Gate，D为 路的规模持续扩大，二氧化硅层的厚度也在持续缩小。 Drain，B为Basewe1)，衬底掺杂浓度指 P+Basewell的掺 在当今的90am技术l2]，二氧化硅层的厚度 已经缩小到 杂浓度；所说的 是指图 1中的 k