基于ZnO半导体纳米线膜声表面波型紫外探测器.pdfVIP

基于ZnO半导体纳米线膜声表面波型紫外探测器.pdf

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第14卷第1期 功能材料与器件学报 VoL14.No.1 OF MATERIALSANDDEVICES 2008年2月 JOURNALFUNCTIONAL Feb.。2008 文章编号:1007-4252(2008)01-0263-05 基于ZnO半导体纳米线膜的声表面波型紫外探测器 贺永宁1,文常保2,李昕1,王兆宏1,朱长纯1 摘要:针对传统半导体光电探测器件结构的宽带隙半导体紫外探测器可测信号弱的问题,提出了一 种基于ZnO纳米线膜的声表面波型紫外探测器。该探测器利用ZnO纳米线膜的强紫外光电响应 特性和声表面波器件的灵敏的声电相互作用机制,将采用高纯锌粉的热蒸发氧化工艺制备的纤锌 矿型ZnO纳米线制作在已有声表面波小波传感器上。利用光致发光谱研究发现,由于低维激子限 域效应和表面效应,所制作ZnO纳米线敏感膜中的紫外光电效应优于外延ZnO半导体薄膜;同时, 基于ZnO纳米线膜的声表面波式紫外探测器在紫外光辐照下该探测器的中心频率减小,损耗增 大。实验研究表明该器件能够实现长波紫外光的高灵敏度探测。 关键词:ZnO纳米线膜;声表面波;紫外探测;声电相互作用;激子限域效应 中图分类号:rIB383文献标识码:A sensitive detectorwithZnOnanowiresfilm Highly ultraviolet prepared on surfaceacousticwave7waveletdevice LiNb03 HE Yong—nin91,WENChang—ba02,LIXinl,WANGZhao.hon91,ZHUChang—chunl ofElectronicsandInformation (1.School Engineering,Xihn,JiaotongUniversity,Xihn ofInformation 710049,China;2.School University,Xihn710064,China) Engineering,Chang氢n with nanowires were via Abstract:ZnOpower thermallyevaporation hiishyields successfullysynthesized ofzinc tothesizeconfinementforexcitonandsurface ZnOnanowireshada power.Due effects,the around385nmanda weak emissionaround500nm strongultraviolet(uv)emissionvery green byphoto— atroom sensitiveUVdetectorbasedon luminescence(PL)spectratemperature(RT).Therefore,ahighly thesurfaceacoustic withZnOnanowiresfilmasUV sens

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