应用TMR角度传感器实现磁旋转编码器设计-AN-MMA-002.pdfVIP

应用笔记 AN-MMA-002 应用TMR 角度传感器实现磁旋转编码器设计 简介 本文档提供对多维科技 MMA253F 磁性角度传感器测量原理的说明，并描述一种使用 MMA253F 传感器和微控制器来实现磁旋转编码器的基本设计原理：由MMA253F 传感器提供 表示磁场角度的电压信号，经微控制器采样处理后运行 CORDIC 算法计算出绝对角度位置 的编码值。 磁场测量的基本原理 MMA253F 磁性角度传感器的设计采用了隧道磁阻（TMR）技术。 TMR 是一种量子力学 现象，其表征为一个磁性隧道结（MTJ）的电阻值随着外部磁场强度而急剧变化。一个 MTJ 是一个多层薄膜结构，由被称为自由层(free layer)和钉扎层(pinned layer)的两个 磁性层之间夹着一个绝缘层所组成。自由层的磁化方向随着外部磁场在同一平面磁通量的 极化方向变化；而钉扎层的磁化方向是在生产工艺中被固定，而不会响应外部磁场的变化。 外磁场的存在使自由层和钉扎层的磁极化产生差异，并导致自由层和钉扎层内的电子产生 不同的自旋状态，使其更加难以穿透绝缘层。因此，TMR 元件在平行状态-即自由层和钉 扎层的磁化方向相同时-显示出最低的电阻值；其最高电阻值产生在反平行状态，即两层 磁化方向相反的状态。TMR 元件的工作原理如图1 所示。 图1. TMR 传感器的磁场测量原理 江苏多维科技有限公司 1 of 6 网址： ，电子邮件：info@ 应用笔记AN-MMA-002 中国江苏张家港保税区广东路7 号215634 版本1.0 在 MMA253F 角度传感器中，每一个 TMR 元件的电阻值变化是自由层和钉扎层的磁化 角度差的余弦函数。最小和最大电阻值分别出现在平行状态和反平行状态。TMR 元件的工 作区处于饱和点以外。饱和点指的是磁场强度的阈值。当外加磁场的强度超过这一阈值后， TMR 元件的电阻值不会随着磁场强度的进一步增加而变化。这一项特点确保了MMA253F 角 度传感器可以在很大范围的磁场强度下都可以稳定工作，而不受磁铁间距变化的影响。 一个 MMA253F 双轴角度传感器由两个单轴传感器组成. 每一个单轴传感器采用四个 TMR 元件组成的推挽式惠斯通电桥设计，用以实现在较大温度范围内的精确测量。两个单 轴传感器完全相同，摆放位置相差 90 度，在一个旋转的外磁场中产生两路差分输出信号 X 和Y，其原理图如图2 所示。在恒定电压供电下，X 和Y 输出电压和磁场角度的余弦和 正弦函数相吻合，其中零角度对应Y 输出为零而X 输出为最大值的情形。 Vbias Y- Y+ P P i i