La2O3掺杂对BST／MgO复合陶瓷显微结构和性能的影响.pdfVIP

维普资讯 周洪庆 等：La。0 掺杂对 BST／MgO复合陶瓷显微结构和性能的影响 La2O3掺杂对 BST／MgO复合陶瓷显微结构和性能的影响 周洪庆 ，杨春 霞。，王宇光 ，宋 昊 ，刘 敏 (1．南京工业大学 材料科学与工程学院，江苏 南京 210009；2．南京电子技术研究所 ，江苏 南京 210013) 摘 要 ： 采用固相反应法制备 了未掺杂和 LazO3掺 用扫描电子显微镜 (SEM)观察试样表面的晶粒形貌 ， 杂 (0．5 、1 、2 (摩 尔分数))的Ba 5Sr0．。TiO。／ 型号为JSM-5900；用JEM一2010URP超高分辨型透射 MgO复合陶瓷材料 ，并研 究了它们的显微结构和各种 电子显微镜 (HRTEM)观察复合陶瓷样 品的晶界情 介电性能。研 究结果表 明，LazO。除一部分会进入 况；低频 (10kHz)相对介 电常数 ￡和介电损耗 rand的 BST晶格獭代 Ba或 Sr的位置 外，还会有一部分与 测试采用 TH2811型 LCR数字电桥测定 ；利用平行板 MgO等形成无定形态物质滞留在 晶界，起到抑制 BST 谐振法对高频相对介 电常数 e和介 电损耗 tan3进行 晶粒生长的作用。BST／MgO复合陶瓷的居里温度随 测试 ；低频 (10kHz)调谐性是根据无偏压和施加偏压 La。O。掺杂量的增大而降低，居里温度的降低导致 了 时的相对介 电常数变化率计算的。 介电常数的减小。适量的La。O。掺杂提高了复合陶瓷 3 结果和讨论 的调谐性，而且 La。O。掺杂明显降低 了复合 陶瓷的微 波介电损耗。0．5 (摩尔分数)LazO3掺杂的 BST／ 3．1 La。O。掺杂 BST／MgO复合陶瓷的物相和显微 MgO复合陶瓷具有最佳的综合介 电性能，其在 10kHz 结构分析 下的调谐性为 6．9 (2kV／mm)，3．99GHz时的介 电 图1是不同La。O。掺杂含量的BST／MgO复合陶 常数和介电损耗分别为87．5和3．35×1O_。，基本可以 瓷的XRD图谱。从 图 1中只能观察到 BST和 MgO 满足铁 电移相器的使用要求。 两相。BST(110)峰的半高宽由未掺杂的0．259增大 关键词： 铁电复合陶瓷材料；微观结构 ；调谐性 到 2 (摩尔分数)Laz03掺杂时的0．329，随着 La。O。 中图分类号 ： TB34 文献标识码 ：A 掺杂量的增大而增大 。这种峰的宽化预示着 BST 晶 文章编号 ：1001-9731(2007)12-2093-04 粒尺寸的减小 ，这也可以从 图2所示样 品的显微结构 照片上得到验证。配位数为 6和 12的La。的半径分 1 引 言 别为 105和 132pm，La。的离子半径远大于Ti的离 移相器是相控阵技术 的关键部件 ，铁 电移相器材 子半径 68pm，因而 La。 占据 B位取代 Ti的可能性 料是 目前有关移相器材料领域 内研究的一个热点。钛 非常小。同时，A位的Ba。和 Sr2的离子半径分别为 酸锶钡(BST)铁电材料以其室温下的高调谐性和低介 160和 144pm，与 La。较接近，因此 La。将可能 占据 电损耗等优点而被认为是制作高性能、低成本的铁电 A位取代 Ba。或 Sr抖 。根据 XRD结果，BST (110)晶 移相器 的最佳选择。S．Nenez等人口]的研究表 明 面衍射峰的d值从未掺杂的0．2801nm减小到掺杂后 BST／MgO复合陶瓷体系有望获得优 良的综合性能。 的0．2796nm，d值减小表明有半径较小的离子取代原 为了进一步降低BST／Mg