垂直腔面发射半导体激光器电、热和光波导特性.pdfVIP

　第 20 卷第 11 期 半　导　体　学　报 . 20, . 11 V o l N o 　1999 年 11 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S N ov. , 1999 垂直腔面发射半导体激光器的 电、热和光波导特性 赵一广　张宇生　黄显玲 (北京大学物理系　北京　100871) (超晶格和微结构国家重点实验室　北京　100083) 摘要　本文采用求光场方程、载流子扩散方程、热导方程以及泊松方程自洽解的方法, 研究了垂 直腔面发射半导体激光器的电、热和光波导特性. 计算结果表明, 出射窗口半径和限制区的深 度、厚度以及半径是影响其注入电流和电压分布的主要因素. 在不同的深度, 电流和电压的分布 是不同的. 因而电流的分布不是一个固定的模式. 对于较大出射窗口的垂直腔面发射半导体激 光器, 有源区的电流密度分布不均匀是引起高阶横模的主要原因. 限制区的位置对有源区中电 流的扩展有很大的影响. : 4255 , 4260, 4280 PACC P L 1　引言 ( ) 自从 1977 年 Iga 提出制作垂直腔面发射半导体激光器 英文缩写V CSEL s 的设想以 [ 1 ] [ 2 ] 来 , 对这种激光器的研究已经取得了很大的进展. 超低阈值的V CSEL s 已经研制成功 . [ 3, 4 ] 然而, 到目前为止仍然存在的一个主要问题是在大电流注入下V CSEL s 出现高阶横模 . [ 3, 5 ] 即使在脉冲工作状态也不例外 . 多横模工作展宽了光谱, 这就限制了器件的应用范围. 成 为目前V CSEL s 研究领域亟待解决的问题. 目前研究最多的V CSEL s 结构是圆形或方形的增益波导, 光发射通过顶面. 对于一个 增益波导V CSEL s, 注入电流在有源区形成一个增益区. 我们以前的计算结果表明, 注入电 [ 4 ] 流的空间分布极大地影响有源区的载流子和温度分布, 并影响V CSEL s 的横模特性 . 在 高注入电流时, 有源区的载流子分布出现空间烧孔, 从而, 影响增益和折射率的分布. 此外, [ 6 ] 温度的升高也与注入载流子的分布有关 . 温度的变化也影响增