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“微纳电子技术”2008年第4期 专家论坛 187-提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径 纳米器件与技术 纳米材料与结构 ZnO透明导电薄膜 209-Bi2O3/TiO2纳米复合物的微波合成及光催化性质 MEMS器件与技术 214-基于MEMS技术的微波滤波器研究进展 -新型三轴MEMS热对流加速度传感器的研究 显微、测量、微细加工技术与设备 -Si 基GaN薄膜的制备方法及结构表征 -提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径 彭英才1，2， 姚国晓3， 马 蕾1， 王 侠1 （1. 河北大学 电子信息工程学院，河北　保定　071002； 2. 中国科学院 半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083； 3. 中国天威英利新能源有限公司，河北　保定　071051） 多晶Si薄膜对可见光进行有效地吸收、光照稳定性好、制作成本低，被公认为是高效率和低成本的光伏器件材料。以提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率为主线，介绍了增大晶粒尺寸以增加载流子迁移率、进行表面和体内钝化以减少复合中心、设计p-I-n结构以增加光收集效率、制作绒面结构以提高对入射光的吸收效果、改进电池结构以谋求最大效率等工艺措施；综述了近5年来多晶Si薄膜电池在材料生长、结构制备和性能参数方面取得的最新进展，并对其发展前景做了预测。多晶Si薄膜；大晶粒；氢钝化；p-I-n结构；太阳纳米器件与技术 基于通信系统中射频电路设计的特殊要求，对小尺寸（基区宽度低于100 nm）、超高频（特征频率高于15 GHz）双极晶体管工艺制程和器件的物理特性进行了模拟，为工艺线流片进行可行性研究。该器件采用BiCMOS制程结构实现，在对小尺寸、超高频双极性器件物理模型进行详尽分析的基础上，实现了该器件工艺级（Sentaurus Process）及器件物理特性级（Sentaurus Device）的仿真，提出TCAD工艺及器件的一体化设计方案。模拟结果表明在高频指标参数 GHz下，所得β值接近于，满足设计要求。 小尺寸；双极器件；频率特性；工艺仿真；特性模拟 以单电子晶体管为研究对象，系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理。微观模拟与宏观建模相结合,着重介绍了如何用蒙特卡罗方法和Matlab相结合对上述各种物理现象进行数值模拟,同时对单电子晶体管进行宏观电路等效,用一些常用元器件进行宏观建模。采用强大的模拟集成电路软件Hspice进行分析模拟,大大减少了计算及仿真时间。通过分析比较,两者曲线得到了较好的吻合,直观地反映了单电子晶体管的电学特性,为进一步研究复杂系统提供了理论依据。 Hspice 纳米材料与结构 利用中频脉冲磁控溅射系统制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜。对平面ZnO薄膜进行短时间弱酸腐蚀，可以获得绒面效果的ZnO透明导电薄膜。分析了工作气压和衬底温度对薄膜绒面结构的影响，获得了适合薄膜太阳能电池的绒面ZnO透明导电薄膜。当压力控制在1.92 Pa左右，衬底温度 ℃范围内沉积的薄膜具有最佳的绒面和较低的电阻率，电阻率可达5.57×10-4 Ω·cm，载流子浓度2.2×1020 cm-3，霍尔迁移率40.1 cm2/V·s,在可见光范围平均透过率超过85％。 中频脉冲溅射；绒面ZnO；透明导电膜；腐蚀；结构 Bi2O3/TiO2纳米复合物的微波合成及光催化性质 以硝酸铋和硫酸钛为原料，通过直接投料微波辐射水解合成法制备了掺铋TiO2纳米复合物，并用XRD、TEM进行了表征。结果表明，直接投料摩尔比为1∶10掺铋TiO2纳米复合物，经500 ℃热处理后晶型为锐钛矿型，粒径为6~10 nm。以催化降解甲基橙来考察其光催化活性，结果表明所制备的纳米复合物是一个好的催化剂。研究了Bi3+的掺杂量、热处理温度、催化剂用量对掺铋TiO2纳米复合物光催化性能的影响。当催化剂用量为1 g/L时，2 mg/L的甲基橙溶液在紫外光辐射30 min后，降解率达到97%。该复合物对甲基橙溶液的光催化降解符合一级动力学方程。 Bi3+掺杂；二氧化钛；纳米复合物；微波合成；光催化 MEMS器件与技术 214-基于MEMS技术的微波滤波器研究进展 基于MEMS技术的滤波器是现行RF结构中一个关键的MEMS器件。与传统的采用金属矩形或圆柱波导以及半导体元件制作的滤波器相比，MEMS滤波器具有低损耗、高隔离度、线性好、体积小、易于集成等优点。对利用MEMS技术制作的滤波器做了分类总结，综述了近几年MEMS滤波器的研究进展，包括硅体微加工滤波器、LIGA传输线型滤波器和基于MEMS开关/电容实现的可调滤波器。指出可调滤波器的开发适应微波、毫米波波段的多频段、宽带无线通信系统的迫切需要，具有重要的现实意义。 MEMS技术；硅体微加工；LIGA技术；微波滤波器；可调滤波器