退火对ZnS薄膜光学性质和结构影响.pdfVIP

20 10 年 6 月 湛江师范学院学报 J un ,20 10 　　第 3 1 卷 第 3 期 J OU RN AL O F ZHANJ IAN G N ORMAL COLL E GE Vol3 1 　No3 退火对 ZnS 薄膜光学性质和结构的影响 1 1 ,2 1 3 1 1 张天红 ,薛书文 ,苏海桥 ,袁兆林 ,陈　猛 ,祖小涛 ( 1. 电子科技大学 应用物理系 ,四川 成都 6 10054 ;2 . 湛江师范学院 物理学院 ,广东 湛江 524048 ; 3 . 电子科技大学 微电子与固体电子系 , 四川 成都 6 10054) 　　摘 　要 :采用真空蒸发法在石英基片上制备了 Zn S 薄膜 ,把制备好的 Zn S 薄膜进行退火处理 ,温度从 300 ℃到 ( ) ( ) 900 ℃,退火时间为 1 h . 利用扫描电镜 SEM 研究了薄膜厚度随退火温度的变化 ,利用光致发光谱 PL 和光吸收 研究了在不同退火温度处理下薄膜光学性质的变化. 结果显示 ,700 ℃随退火温度的升高 ,薄膜厚度变小 ,而 700 ℃ 以后 ,随退火温度的升高薄膜厚度变大. 光吸收显示 ,随退火温度的升高 ,薄膜在可见光范围内的光吸收逐渐降低 , 光学带宽发生蓝移 ,700 ℃以后 ,随退火温度身高 ,光吸收有一定的升高 ,光学带宽发生红移. 光致发光显示 ,随退火 ( ) 温度的升高 ,Zn S 薄膜与深能级缺陷相关的发光带 DL E 增强 ,700 ℃后薄膜 ,随退火温度的升高 ,DL E 减弱 关键词 :Zn S 薄膜 ; SEM ;光致发光 ;退火 中图分类号 : 　　　　文献标识码 :A 　　　　文章编号 :1006 - 4702 (20 10) 03 - 0047 - 06 0 　引　言 Zn S 是一种 IIV I 族化合物 ,在室温下禁带宽度约为 3 . 7 eV ,作为一种宽禁带的半导体材料 ,近年来受 到极大的关注 ,并广泛应用于光电器件的制备中 ,如光发射二极管[ 1 ] , 阴极射线管[2 ] ,薄膜电致发光器件[3 ] , [4 ] [ 5 ] 光电电池窗口材料 和激光二极管等 . 同时 ,如何制备高质量的 Zn S 薄膜也得到了广泛的研究 ,报道的制 备方式有很多 , 比如溅射法[ 6 ] ,脉冲激光沉积法[7 ] ,金属有机化学沉积法[ 8 - 11] ,分子束外延法[ 12 ] ,光化学沉 积[ 13 ] ,化学洗浴沉积法[ 14 ] 以及真空蒸发法[ 15 - 16 ] . 蒸发法具有一些明显的优点 ,包括较高的沉积速度 ,相对较高的真空度 , 以及由此导致的较高的薄膜纯 度 ,并且制得的薄膜表面清洁 ,对设备的要求低 ,操作容易 ,用掩模可以获得清晰的图形 ,薄膜生长机理较单 纯 ,因此受到了较多的重视. 薄膜的性质与其微结构密切相关 ,微结构决定性能. 对于一定厚度的薄膜 ,对其进行退火处理 ,随着退火 温度的变化 ,其微结构也相应的变化 ,从而导致其电学性质和光