关于VDMOS栅源漏电问题的研究.pdf

第 10卷 ，第 l2期 电 子 与 封 装 总 第92期 Vol 10 NO 12 2()10年 12月 ． ． ELECTRONICS PACKAGING 微 电 子 制 造 与 可 靠 性 关于VDMOS栅源漏 电问题的研究 陆 宁 (上海贝岭电子有限公司，t海 200233) 摘 要：文章从VDMOS器件结构及工作原理入手，对VDMOS芯片生产的工艺控制难题—— 栅源 漏 电问题作 了较全面的分析，描述 了栅源漏 电对器件的影响、常用的测试方法及 问题发生的机理。 以详实的理论依据和实际生产中的实验数据，归纳 了影响VDMOS栅源漏 电的因素及对应的工艺控 制要点，总结 了解决这一问题的思路及方法，供VDMOS技术工作者或其他各方面对VDMOS有一 定了解的半导体技术工作者参考 。 关键词：VDMOS；／；GS漏 电；GS短路 中图分类号：TN305 文献标识码：A 文章编号：1681—1070 (2010)12—0027—05 TheResearchofGSLeakageforaVDM OSDevice LUNing (ShanghaiBellingCo．，L Shanghai200233，China) Abstract：Theleakagefromgatetosource(GSleakage)isadeaddefectforaVDMOSdevice，anditisdifficult tocontrolforproductionprocess．Thepaperdescribedtheinfluencetodevice，testmethodandtheoryofGS leakage．SummarizedtheprocesscontrolanddealingmethodbasedondetailVDMOSdevicemodelanalysisand productiontestresults．ThiswillbehelpfulforVDMOSworkers． Keywords：VDM OS； ；GSleakage；GSshort 。 VDMOSFET结构。 1 前言 2 VDMOS基本理论 近年来 ，各利功率 MOS 器件层出不穷，由 于其具有开关速度快 、输入阻抗高、热稳定性好、 2．1 器件结构及基本工作原理 高可靠性等优点，存应用中取代了许多双极型功率 VDMOS器件的制作原理是在高阻外延层 (N一) 器件。其工艺特点决定了它能方便地同其他类型的 上采用平面 白对准双扩散工艺，利用硼磷两次扩散 器件相集成 ，从而促进了高 功率电路HVIC和智 差 ，在水平方 向形成与 MOS结构相 同的多子导电 能功率电路 SPIC的集成实现 ，推动了电力电子技 沟 道 。 术 的发展 。 长条形元胞 VDMOS器件的三维结构见 图 lo 功率MOSFET是将微 电子技术的发展成果应用 它由众多长条形单元并联而成 ，硅棚长条将各 到电力电子领域中的功率器件。按其结构分类，功 单元的栅极相连 ，隔着绝缘层在栅极的上方将所有 率MOSFET