及其硅化物界面的杂质缺陷态.pdfVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 , 吞 咭 ‘ , , 年 月 氢等离子体对 及其硅化物 界面 的杂质 缺陷态和势垒 的影响 丁 孙安 许振嘉 中国科学 院半导体研究所 北 京 表面物理 国家重 点实验室 北京 摘要 存在于 及其硅化物 界面 的深能级缺 陷常常会影 响器件 的性能 本文主要计 论氢等离子体对 及其硅化物 界面深能级杂质缺 陷的钝化作用及对其 势袅 的影 响 , 己 雀 一 目 二 及其硅化物在半导体器件 中有着 广泛而重要 的应 用 , 但 由于 或 界 , , 面存在许 多杂质 缺 陷态 它们 往往会影 响器件 的性 能和寿命 例 如 一 势垒在 应用于红 外探测器时存在 的问题之一是 噪声较大 , 而深 能级缺 陷对 噪声有较大 贡献 此 , , 外 我们 的研 究还 表 明 退火过程 中引人