ZnO@SiO2同轴纳米电缆的静电纺丝技术制备与表征.pdfVIP

旃26眷第 1期 无 机 化 学 学 报 Vo1．26NO．1 20l0年 1月 CHINESEJOURNALOFINORGANICCHEMISTRY 29．34 ZnO@SiO2同轴纳米电缆的静电纺丝技术制备与表征 王进贤 张 贺 董相廷 刘桂霞 f长春理X-大学化学与环境工程学院，长春 130022) 摘要 ：采用同轴静电纺丝技术 ，以硝酸锌 、正硅酸乙酯 (CH Si)、无水 乙醇 、聚乙烯吡咯烷酮(PvP)和N．，v一二甲基 甲酰胺 (DMF1 为朦料 ．成功制备…大蛩的ZnO@SiO 同轴纳米电缆 用TG—DTA，XRD，SEM．TEM，FT1R等分析技术x,t 品进行 了表征 ，结果表 明．得到的ZnO@SiO!同轴纳米电缆的壳层为无定型SiO2．厚度为50Ilm，芯轴为品态 ZnO，电缆直径为 300～450nm，长度 大于 300 l11 探讨了ZnO@SiO 同轴纳米电缆 的形成机理 ： 关键词 ：同轴静电纺丝技术 ；同轴纳米电缆 ：纳水电缆 ；氧化锌；二氧化硅 中图分类号 ：O614．24l：O613．72：TB34 文献标识码 ：A 文章编号：1001—4861(2010)01—0029—06 ZnO@SiO2CoaxialNanocable：PreparationviaElectrospinningandCharacterization WANGJin—Xian ZHANGHe DONG Xiang—Ting LIUGui—Xia fS(’hoolofChemistryrodEm’ironmenttdEngineering,ChangchunUnil’ersit)ofScienceandTechnology,Changchun1300221 Abstract：ZnO@SiO2coaxialnanocableswerepreparedinlagrescalebycoaxialelectrospinningusingZn(NO3)2， CsHmO4Si，absoluteethanol，Polyvinylpyrrolidone(PVP)andDimethylf0rmamide(DMF)asthestartingmaterials．The sampleswere characterized by TG—DTA．XRD．SEM．TEM and FTIR techniques．The as—prepared coaxial nanoeableswithameanouterdiameterof300-450nm andshellthicknessof50nm arewithacrystallineZnO (：ore andanamorphousshellofSi02．ThelengthofZnO@SiO2nanocablesisgreaterthan300txm． Keywords：coaxialelectrospinning；coaxialnanocables：nanocables；ZnO；SiO2 0 引 言 广泛，可应用于医疗 、电子等领域 如美 日科学家组 成的联合研究小组近 日研究H{一种新方法．把比人 同轴纳米电缆 Coaxialnan0cable1由于其独特的 类发丝还细 100倍 的铂金属纳米电缆植人人体血管 性能 、丰富的科学 内涵 、广阔的应用前景 以及在未来 中，这些纳米电缆不但可以用来接收神经细胞的讯 纳米结构器件 中占有的重要战略地位．有望在生物 号，还可以向这些细胞发出讯号l81静电纺丝技术是 医学 、纳米电子器件 、纳米做加T 、测试技术等领域