纤锌矿AlN／GaN／InN／GaN／AlN量子阱的界面和局域光学声子.pdfVIP

2010年 1月 内蒙古大学学报 (自然科学版) Jan． 2010 第41卷第 1期 JournalofInnerMongoliaUniversity VoI．41 No．1 文章编号 ：1000—1638(2010)01—0057—09 纤锌矿A1N／GaN／InN／GaN／AlN量子阱的 界面和局域光学声子。 屈 媛 ，班士 良 (内蒙古大学物理科学与技术学院，呼和浩特 010021) 摘要 ：基于介电连续模型和Loudon单轴模型，采用转移矩阵法讨论纤锌矿AlN／GaN／InN／ GaN／AlN量子阱的界面和局域光学声子模．结果表明在GaN阱区引入InN纳米凹槽使纤锌矿 AIN／GaN／A1N量子阱的光学声子发生较大变化．对给定波矢，在不同的频率范围内，存在两 种界面光学声子模和两种局域光学声子模．声子色散关系和静 电势分布表现出较AlN／GaN／ A】N单量子阱更为复杂的形态。 关键词 ：纤锌矿；量子阱；纳米凹槽；光学声子模 中图分类号 ：O471．3 文献标志码 ：A 二维 电子气浓度和电子迁移率标志半导体多层结构光电子器件 的性能．通常 ，二维电子气浓度的 增大不可避免地增加载流子向势垒层的溢出，这不仅降低载流子 的迁移率n)，还可能导致电流崩塌效 应Q)．引入纳米凹槽层 ，可增强对载流子的量子限制效应 ，进而提高器件性能．分子束外延法成功生长 高质量纤锌矿InN厚膜。 ，使人们发现室温下纤锌矿InN 的禁带宽度并非长期以来认为的1．9eV∞ 而是0．64eV )，属窄禁带半导体．因可与禁带宽度分别为3．5eV0和6．23eV 的GaN和AlN等形成 较大导带偏差，且具有高电子漂移速率及低电子有效质量0，InN及其三元混晶InGaN、InAIN成为 Ⅲ族氮化物器件较理想的凹槽材料。．Pala。等测得AlGaN／InGaN／GaN双异质结场效应 晶体管有 很好的低频噪音特性，Lanfordn∞等发现A1GaN／InGaN／GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩坍效 应被有效抑制 ，均归因于InGaN 凹槽层与势垒层的大导带偏差增强了对载流子的量子限制作用． 在室温或高于室温时，光学声子散射是影响极性半导体异质结构二维电子气迁移率等光电性质 的主要机制．Pokatilovm 等理论计算发现室温下插入 凹槽层 In．Ga1--xN(O O．06)可提高纤锌矿 AlN／GaN／AlN量子阱二维 电子气迁移率，因 很小，计算中仅考虑凹槽层对 电子的限制作用，未计 体系声子 的变化．实际上，凹槽层引入的界面不仅导致二维 电子气重新分布，亦会改变体系的光学声 子模式．结合介电连续模型n 和单轴晶体模型n ，Stroscion 等导 出了纤锌矿单双异质结 中可能存 在的界面、局域、半空间和传播光学声子模的色散关系及其电子一光学声子散射速率．对获得解析表达 式较困难的多界面异质结构 ，通常采用转移矩阵法数值求解声子模n㈣ ．吕京涛n 。等计算了纤锌矿 ZnO／GaN多界面异质结构 的界面和局域光学声子模及其电声子相互作用．史俊杰~19-203等解得GaN／ AlGa1--atN 多界面异质结构的界面和传播光学声子模及其 电声子相互作用．据我们所知，对含有凹槽 层InGaN 的AlN／GaN／AlN量子阱光学声子的讨论鲜见报道． 在我们最近的工作中发现 ，声子色散的各 向异性将导致纤锌矿量子阱存在特殊混晶效应 ，即随着 · 收稿 日期 ：2009—09—28 基金项 目：高等学校博士学科点专项科研基金资助项 目(20070126001)；内蒙古 自治区自然科学基金重点资助 项 目(20o8O4O4Zd02) 作者简介 ：屈嫒(1983一)，女，内蒙古包头人 ．2007级博士研究生 ． 58 内蒙古大学学报 (自然科学版) 组分 的改变 ，光学声子会发生模式转变．故含有三元混晶的多界面结构光学声子模更为复杂．作为初 步探索，本文仅以理想二元体系为例，基于宏观介电连续模型和Loud