直接法合成三烷氧基硅烷的研究进展.pdfVIP

技术进展 荫讯l·材料，2010，24(1)：50～58 SILICONEMATERIAL 直接法合成三烷氧基硅烷的研究进展 水 杨春晖。，张 磊 ，李 季 ，杨 恺 ，葛士彬 ，胡成发 (1．哈尔滨工业大学，哈尔滨 154100；2．江苏工业学院，江苏常州 213164) 摘要：综述了近几十年来直接法合成三烷氧基硅烷的研究成果，对直接法合成烷氧基硅烷的影响因素 进行了分析，包括合成原料成分分析、硅铜触体的预处理及催化体系评价、反应媒介、产品纯化分离等； 同时，对反应器类型也进行 了评价 ，在此基础上展望 了直接法合成三烷氧基硅烷的发展方向。 关键词：直接法，三烷氧基硅烷，硅烷偶联剂，反应器，硅，醇，铜 中图分类号：TQ246．1 1 文献标识码 ：A 文章编号：1009—4369 (2010)01—0050—09 三烷氧基硅烷是合成硅烷偶联剂的重要原 2HSi(OR)3+H20 料，其化学通式为HSi(OR)，美 国、德 国学者 一HSi(OR)2SiOSi(OR)2H+2ROH (9) 倾 向于 R为包含 6个碳原子 以下的直链烷基， 2HSi(OR)3+Si(OR)4+H2O 日本学者认为 R一般为小于 4个碳原子的直链 —HSi(OR)2SiOSi(OR)SiOSi(OR)2H 烷基。其中以三甲氧基硅烷和三乙氧基硅烷最为 +2ROH (10) 重要，由二者通过硅氢化反应可合成出多种硅烷 直接法与醇解法相 比，具有工艺过程简单 、 偶联剂，或通过岐化反应制备高纯硅烷气体…， 无污染、成本低等优势；但 由于当时转化率和选 也可用于制备有机 一无机杂化材料等 J。 择性都较低，未引起人们的关注。随着市场对烷 目前，工业上三烷氧基硅烷主要是由三氯氢 氧基硅烷需求量的增大，特别是美国的Witco公 硅通过醇解反应制得 J。此法工艺复杂、收率 司于 1996～1997年在意大利建成了世界上第一 低；反应过程中伴有大量的HC1产生，腐蚀设 套工业化规模直接法合成三 甲氧基硅烷生产装置 备、污染环境，成本较高；而且产物分离提纯较 后 J，世界各 国都对此法竞相开展研究。本文 困难。直接法合成烷氧基硅烷工艺是 1948年由 在总结整理近几十年文献的基础上，分析评价了 E．G．Rochow首次提出的 J，其原理是硅粉与 直接法合成烷氧基硅烷的影响因素，并展望了直 低级醇在催化剂作用下反应，得到 目标产物。其 接法合成烷氧基硅烷的发展趋势和应加强的研究 主反应及可能发生的副反应见式 1～式 10 J。 方 向。 主反应 ： 1 直接法合成三烷氧基硅烷 的影响因素 Si+3ROH--~HSi(OR)3+H2 (1) 分析 副反应： HSi(oR)3+ROH*Si(oR)4+H， f2) 1．J 原料 ROH +H2 RH +H，0 r3、 金属硅粉中微量元素的含量及硅粉粒径是影 2ROH—+ROR+H，0 r4、 响直接法合成烷氧基硅烷效果的重要因素 。 但从 RCH20H~RCH— CH2+