Highly-charged Ions Irradiation Induced Surface Damage of 6H-SiC.pdfVIP

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2018-03-24 发布于湖北
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一～∞u《蛊8 0 2009 IMP ＆ HIRFLAnnualReport 99 3_-15 Highly。。charged IonsIrradiation Induced SurfaceDamageof6H--SiC ZhangChonghong，Hanluhui，LiBingsheng，YangYitao，JiaXiujunandandXuChaoliang Asatypicalrepresentativeofthethirdgenerationofsemiconductormaterials，SiliconCarbide SiC sem iconductorsareveryattractiveforhigh power，high temperature，and radiation tolerantapplications duetotheirextraordinarymateria1propertiessuch aslargeband gap，high electron saturation velocity， highbreakdownfield，andhighthermalconductivity．Itisusedextensivelyinelectronicdevicesmaterials． Ionimplantationisthemoreflexibletechniquefortheproductionofdopedlayersin SiC-based integrated circuitsE J Siliconcarbide SiC alsoiswidelystudiedinparticularforitspotentialnuclearapplications．． Theinfluenceofdamageaccumulationon structuralandenergeticpropertiesisnoteasily determinedby techniques such asRutherford backscattering spectroscopy and transmission electron m icroscopy。5．By contrast，non—destructivespectroscopymethodsgiveselectiveinformation ondefectformationandassoci— atedstructuraitransformations，and candetectsomeaspectsofthetransmission betweencrystallineand amorphousstate．Thedensityofionimplantationisacritica1parameterfordefectsremovalandforthee— lectrica1activationandforthesurfaceproperties．In this1etter，weinvestigatethedoseinfluenceonthe surfacedamageafterXeq 一implanted6H—SiC filmswithanenergyof600keV intwogeometries．onewith norma1incidence，theotherwithtiltedincidence．