CSGD脉冲及瞬变原子化原子吸收光谱分析技术.pdfVIP

维普资讯 ￡J31 W ．A．HeCTmDn ct ·I-．o， 川 mft。，f“。-·●日， (1989)． (19，0)- [16】 W-A·He~tmann etair。 t#，．cjfm-rIres- - [14J M．R．CookeIII．。，．c^#m． 口．PeltonTrⅢ ．． 丑_●．。曲。I6靳。l63a．1641(1991)． 797(1991)． ． [17】 X．Lu．H．Fing。Z．Ni，，． Or#~som*s．c--‘，．． [15l J．Tsks~oeta1．． ．OrEe~om**．c^，II．．3曲．cJ · m 。77(1989)． l csGD脉冲及瞬变原子化／原子吸收毙谱分析技术 张必成 。 张 纯 O6日- (瑚北大卓 军紊_ 汉 430062) (武汉市医药工业研究所，武汉 43oo35) 日埔要本文介绍了csG。脉冲及瞬壹氟子化，原子吸收光谱分折技术的有关理论 、 仪器装置及分 析性能，并将此技术同石墨炉原子吸收光谱分折在灵敏度方面进行了比寝o 关薯调 脉冲原子化方式，瞬壹原子化方式，辉光放电，阴极溅射，赢字吸收光谱分析 ’ 自 L’VOV1959年发表石墨炉原子吸收光 大提高分析的灵敏度，这是由于沉积在阴极上 谱分析 (GFAAS)的第一篇文章到 7O年代 后 的溶液残渣的表面原子与 内部原子的结台力相 期 稳定温度平台石墨炉 (STPF)出现 以来， 对较弱、且这两种原子化方式都能侠速产生分 GFAAS作为一项商灵敏度的分析技术广泛 应 析原子的缘故 。 由与：CSGD脉冲及瞬变原 用于元素的痕量分圻 。然而，此技术因一些 子化一原子吸收光谱分析 技 术 (分 羽’简 写为 元素在高温下形成碳化物、发生记忆效应、严重 CSGD(PA)一AAs及 csGD(TA)一AAs)在灵 影晌铡定的灵敏度和准确性而受到应用上的限 敏度、控出限方面的优越性以及无记忆效应发 制。L’VOV已指出：蒸气压与温度的美系对电 生．使一些 GPAAS技术难以分析的痕量 元 热原子化器的限制 ．只能通过非热骧子化 的手 素．如 Zr、H}等，有了分析的可能。 目前，此技 段来克服 。 辉光放电 中的 阴 极 溅 射 技 术 术虽处于探索的初始阶段，但 已戚为—个独具 (CSGD)是一种溅射原子化手段。采用此技术， 特色的研究方 向，有羞广阔的应用前景。 高速的放 电气体离子连续地轰击阴极靶 材 料， 阴极原子从 阴极表面蔫射到蒸气相 中，被 溅射 一 、 理 论 的原子可通过原子吸收光谱分析 “ 、原子发射 I．明扭溅射霹光放电 CSGD是一种非电 光谱分析 、原子荧光分析 和质谱分析 “来 热 的原子化方式 。 对于电热原子化方 式 来 铡定ol959年 Russell和 Walsh首先认氓到 说，样品组分的骧子化速率与样品的组成及组 CSGD是一个有前途的原子化手段 。Ohls也 分的蒸气压有关 ．因此，样品组成与被分折的蒸 预言，通过 CSGD原子吸收光谱(CSGD—AAS) 气组成是不一致 的 。对于 CSGD 来说 ，被分 可测定 GFAAS不宜测定的一些元 素，如 zr 析 的蒸气组成 同样品组成及该样品待测组分 的 等 。然而．到 目前为止，它的应用几乎都被限 溅射率成正比。溅射率是指每个最初的放电气 制在发生稳定态原子蒸气 的块状导电固体样 品 体离子 同阴极表面碰撞所溅射出的原 子 数 。 的发射光谱分折中．灵敏度较低 若用试液 残 然而，不同元素原子的溅射率很少相差 1O倍。 渣代替块状导电固体样品．脉冲原子化方式及 例如，高速的放电气体离子 Ar轰击w阴韫，其 瓣变原子化方式代替稳定态原子化方式，将大 溅射率仅比 低2—3倍，．而这两种