窄禁带光子晶体能态密度的研究.pdfVIP

第 27卷，第 3期 光 谱 实 验 室 Vo1．27，No．3 2010年 5月 ChineseJournalofSpectroscopyLaboratory May 。2 0 1 0 窄禁带光子晶体能态密度的研究 夏玉珍① 高珊“ [临沂师范学院实验中心 山东省临沂市双岭路中段 (师院新校区) 276005~ n(山东省交通技术学院 山东省临沂市兰山区中丘路 3号 276004) 摘 要 利用平面波展开法研究了窄禁带光子晶体材料的能态密度分布情况，得到了窄禁带材料构 成的三角晶格光子晶体能态密度随着介电常数差值的增大而增大，并且分析了氮化镓在 厂一0．3时，能态 密度分布最小，出现最大光子带隙。研究结果为窄禁带光子晶体器件的构造提供理论依据 关键词 窄禁带光子晶体 ；平面波展开法；能态密度分布 中图分类号：0572．31 文献标识码 ：A 文章编号：1004—8138(2010)03—1122—03 1 引言 光子晶体的概念是 1987年分别由S．Johnc和 E．Yablonovich口等人提出来的。光子晶体的特 点是具有光子带隙口]。振动频率在光子带隙内的电磁波沿光子晶体的任何方向都不能传播。利用这 个性质使得光子晶体在激光器、光波导器件、光滤波器等方面具有广阔的应用前景 ]。半导体材料 禁带宽度 为 2．0—6．0eV称为窄禁带半导体，也称第三代半导体材料，如碳化硅 (SIC)、氮化镓 (GaN)、氮化铝 (A1N)等。由于碳化硅、氮化镓和氮化铝具有低的介 电常数，当组成光子晶体材料时 形成了窄禁带光子晶体，能态密度是描述光子晶体禁带特性的一个重要的物理量。目前国际上对其 能态密度的研究较多，但是国内目前研究较少。本文用平面波展开法研究了窄禁带光子晶体能态密 度的分布 。 2 光子晶体能态密度的理论 光子能态密度为单位频率下所存在的能态数 目，它与光子晶体的透射率及许多实验上观察到 的光学性质有密切的关系，数学表达式L5为： DOS= [一 ()] (1) jBZ 式中：DOs——光子能态密度 ；——色散 。根据公式(1)，求取光子能态密度方法为：考虑色散关系 一 ， 当 ，对第一布里渊区BlochCs向量取样 ，以平面波展开法求出所对应的本征模 √ e 态，然后统计模态数 目对能量的分布，即可求得光子能态密度。值得注意的是，在做数值取样时必须 保持系统具有的对称性，并且在边界条件下不可重复取样，这样可避免因人为取样不当而产生的系 统误差 。 ① 联系人，手机 ：(OE—mail：xiayuzhen@126．tom 作者简介 ：夏玉珍(1957一)，女，山东省临沂市人，副教授 ．主要从事光子晶体方面的研究工作 。 收稿 日期：2009一l1一o5；接受 日期：2009—12—02 第 3期 夏玉珍等：窄禁带光子晶体能态密度 的研究 450 O O O O O 350 O O O O 鑫25o O O O O O 稍 150 O O O O 5