CVD 生长SiC 涂层工艺过程的正交分析研究 徐志淮.docVIP

CVD生长SiC涂层工艺过程的正交分析研究 徐志淮 李贺军 (西北工业大学C／C复合材料研究所) 摘要：为了在C／C材料表面可靠地制备SiC抗氧化涂层，针对CVD工艺特点，采用正交设计方法对MTS，H2体系制备SIC工艺过程进行了全面系统的研究，在对沉积过程现象进行观察分析的基础上，计算了6种工艺因素对SiC—CVD过程影响的方差，对各自影响的显著性进行了分析，并讨论了所属的21种工艺条件对沉积结果的影响。 关链词：碳／碳复合材料；碳化硅涂层；CVD；正交设计 中国分类号：TB332，V257 ??文献标识码：A 文章编号：1004—244x(2000)05一0035—06 碳／碳复合材料(C／C)在500℃以上的氧化性环境中的氧化问题是制约C／C复合材料在国防工业及相关高技术领域应用的关键。关于提高碳材料的抗氧化能力方面已进行了大量的研究。一般认为，对于较高的使用温度条件下(≥1200℃)的应用而言，碳材料表面的碳化硅涂层是最重要和有效的防氧化屏障[1]。 迄今为止，碳化硅涂层的制备方法包括 Acheson法、Lely法、固渗法和气相沉积(CVD)法[2—3]。CVD法被认为是今后最有前景的碳化硅涂层制备方法，因为它对形状复杂和带内表面的部件具有极佳的适应能力，可以在相对较低温度(900一1200℃)下进行涂层的制备，从而避免高温处理对材料结构及碳纤维性能的破坏。同时，采用CVD方法能方便地控制涂层的成分和微细结构，有利于对涂层／基体界面的结构或成分梯度进行控制。因此如果能对SiC—CVD过程进一步深入研究，通过对制备工艺的精细控制来减少结构缺陷和形成理想的成分与结构梯度，则有希望从根本上提高C／C复合材料的抗氧化能力。 目前，对于CVD法制备SiC的研究主要集中在电子材料[3]、单晶体[2]、纳米粉[4]及晶须[5]等方面，不同研究者的研究目的、实验条件、工艺方法各不相同，所制备材料在组织结构和表面形貌上存在着较大的差异，对CVD—SiC涂层制备工艺方面尚还缺乏系统的研究。本文以高纯石墨为基底进行SiC涂层的制备，采用正交方法对SiC—CVD过程进行较为深入的研究。 1实验方法 首先将石墨试样表面进行抛光处理，清洗烘干后在自制的立式化学气相沉积炉中进行沉积实验，反应原料为甲基三氯硅烷(MTS，纯度大于95％)，氢气作为还原气体，氩气作为稀释气体参与反应。试样沉积前对其表面进行预处理。 涂层的厚度在HX—1000型显微硬度仪上进行，涂层的均匀性为起始端处涂层厚度与气流下游方向130mm处涂层厚度的比值。沉积速率采用单位时间内生成涂层的厚度来衡量。 各工艺因素对沉积速率、沉积均匀性及沉积厚度的影响大小及规律的计算和分析采用L18(67)正交表进行，其中沉积温度为6个实验水平，其它因素为3个实验水平。 2结果分析与讨论 2．1各工艺因素影响显著性分析 图1给出了不同工艺因素对沉积过程影响的方差结果比较，可以看出，在所进行的全部实验过程中，试验误差的偏差平方和均为一较小值(≤3．87％)，说明本试验具有较高的精度和可靠性。同时对应于不同的试验指标，研究中相同工艺因素所选择的实验水平并不相同，因而对于不同的实验指标，相同因素对试验结果影响的偏差平方和及贡献率大小并不相同。为了提高F值检验法的灵敏度，就必须将偏差平方和较小的因素与试验误差归并，然后在此基础上计算出因素的方差，并与α值比较后得出各工艺因素的显著性水 a一涂层厚度影响因素的方差分布 b一均匀性影响因素的方差分布 c一沉积速率影响因素的方差分布图1不同指标影响因素方差比较表l是在方差分析的基础上得出的各工艺因素对SiC涂层厚度、均匀性和沉积速率的影响显著性。对于不同的评价指标，各工艺参数的影响显著性并不相同，对于均匀性而言，表面处理、反应温度、沉积时间均为显著影响因素，Ar气的含量有一定的影响。对于涂层厚度，仅沉积时间为显著影响因素，沉积温度有一定的影响；对于沉积速率也表现为沉积时间有显著影响，而H2流量有影响。 值得注意的是，在所考察的六种工艺参数中，MTS含量对研究的二种指标均无显著影响，这一结果清楚地反映了沉积过程并不是受反应速率的控制，说明在实验条件下，MTS进入高温沉积区后被很快地分解成各类中间产物，并进一步生成含Si原子团和含C原子团。相对于化学反应过程，沉积粒子的传输与涂层表面的生长过程进行得较慢、成为影响沉积全过程的“瓶颈”，因此气体流量和时间等决定着气相沉积中传质和生长过程的工艺因素，表现为对沉积结果具有显著的影响。这也可以从温度对沉积速率和沉积厚度的影响并不显著这一结果中得到进一步证实。 沉积时间对所检验的三个指标都具有显著的影响，这表明随着沉积过程的不断进行，沉积基底表面的状况和特性逐步变化，沉积机制也相应改变，因此如何通过控制