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晶体的一般特性
方向角和振动模式
图1 Z板中各切型的方向
??
Cut Vibration Mode
Frequency Range(KHz)
Frequency Formula(KHz)
CapacitanceRatio(typ.)
AT fundamental
800-50002000-30000
1670×1/t1670×1/t
300-450220
AT 3rd overtoneAT5th overtoneAT 7th overtoneAT9th overtone
20000-9000040000-130000100000-200000150000-230000
1670×n/t
n2×250
BT fundamental
2000-35000
2560×1/t
650
@t:thickness n: overtone mode???????? Table 1.mode of vibration(thickness shear)
等效电路参数
如图2 所示在谐振频率附近,晶体的等效电路由下列参数动态电感L1,动态电容C1及
串联支路中描述晶体机械振动的串联电阻R1和由支架杂散电容与两平行电极之间的静
电容之和所构成的静态电容C0来描述。
图2 晶体的等效电路
频率—温度特性
图3 说明了以切割角度为参数的AT切厚切变模式的晶体频率-温度特性,由于AT切的
频率-温度特性曲线相当于三次方程曲线,所以它在宽温度范围内具有优秀的频率稳定
性。
图3 AT 切 频率-温度特性
图4 显示的是BT切的厚度切变模式的晶体频率-温度特性。
图4 BT 切频率-温度特性
由于更严格的技术要求,详细的参数测试增加了成本,所以我们列出了客户设计限度,客户
可以把自己的技术要求写在下面的这些限制内,但这只是部分限度设计窗口模式而不包括其
它设备。
一、如何定购客户自行指定标准的晶体
要定购标准清单上没有的频率,偏差或形象,请填好下列数据
1.封装形式?????????? _____________________
2.储存温度范围?????? _____℃ to_____℃
3.工作温度特性????? ?_____℃ to_____℃
4.频率温度特性?????? ±___% from ?_____℃-_____℃
5.常温(25℃±3℃)特性(或其它参考温度下的特性)
??? 5.1 频率 _____MHz
??? 5.2 频率调整偏差??? ±_______%
??? 5.3 负载电容???????? _______pF or series
??? 5.4 等效串联电阻???? ________Ω Max.
??? 5.5 激励电平???????? ________mW Max.
??? 5.6 振动模式???????? Fundamental or _______overtone
??? 5.7 测试电路???????? 由客户选择
??? 5.8 并联电容??????? ________pF Max.
6. 印字说明
二、可用到的作业标准
●?封装:电阻焊接支架?? 参照封装形式明细?? 可以在产品上附着接地用引线。
● 频率范围:1.8432MHz-200MHz
● 频率调整偏差: ±0.001%±0.01%@25℃适用频率按温度范围有所不同.
??????????????????????? -10℃-50℃:±0.0005%
??????????????????????? -30℃-60℃:±0.001%
??????????????????????? -55℃-105℃: ±0.005%
● 负载电容:当设计电路时,请注意一般电容为20pF,32pF和空载
??????????????? ?从15pF 到空载要求时不影响价格.
● 激励电平:1-10MHz……0.1-2.0mW?????? 10MHz(不含10MHz) ……0.1-1.0mW
● 经时变化:±0.0003%/年
客户如何定购自行指定规格的振荡器
I.? CRYSTAL OSCILLATOR
1.? 逻辑类型????? TTL,HCMOS,CMOS?or ECL
2.? 频率????????? MHz or KHz
3.? 频率稳定度????PPM?with _____℃-_____℃?
4.? 电源电压????? VDC±____%
5.? 电源电流????? mA Max.
6.? 输出负载??? ??pF?or TTL
7.? 对称性??????? ____% to____%
8.? 上升&下降时间? nS
9.? “0”电平?? ??V Max.
10 “1”电平 ?????V Min.
II.?VCXO
1.? 逻辑
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