第6章单片机系统并行扩展.ppt

第六章 单片机系统扩展技术 地址锁存器74LS373 线选法 2732:4KB ROM，12根地址线A0～A11，1根片选线 6116:2KB RAM，11根地址线A0～A10，1根片选线 片选端低电平有效 地址范围： 2732（1）的地址范围：7000H～7FFFH; 2732（2）的地址范围: B000H～BFFFH; 6116（1）的地址范围：E800H～EFFFH; E000H～E7FFH 6116（2）：D800H～DFFFH; D000H～D7FFH 线选法特点 优点：电路简单，不需另外增加硬件电路，体积小，成本低。 缺点：可寻址的器件数目受限，地址空间不连续。 只适于外扩芯片不多，规模不大的单片机系统 74LS138译码器真值表 输 入 输 出 G1 G2A* G2B* C B A Y7* Y6* Y5* Y4* Y3* Y2* Y1* Y0* 采用全地址译码方式，单片机发地址码时，每次只能选中一个存储单元。同类存储器间不会产生地址重叠的问题。 如果用74LS138把64K空间全部划分为每块4KB，如何划分？ 3. 程序存储器的扩展 采用只读存储器，非易失性。 （1）掩膜ROM 在制造过程中编程,只适合于大批量生产。 （2）可编程ROM（PROM） 用独立的编程器写入，只能写入一次。 （3）EPROM 电信号编程，紫外线擦除的只读存储器芯片。 （4）E2PROM（ EEPROM） 电信号编程，电擦除。读写操作与RAM相似，写入速度稍慢。 （5）Flash ROM 又称闪烁存储器，简称闪存。电改写，电擦除，读写速度快（70ns），读写次数多（1万次）。 4 常用EPROM芯片介绍 典型芯片是27系列产品，例如， Intel 2716(2K×8位) 2732(4KB) 2764 （8KB×8） 27128（16KB×8） 27256（32KB×8） 27512（64KB×8） “27”后面的数字表示其位存储容量。 扩展程序存储器时，应尽量用大容量的芯片。 1.常用的EPROM芯片 引脚功能如下： A0～A15：地址线引脚。数目决定存储容量。 D7～D0：三态数据总线，编程时数据输入线，读或检验时为数据输出线。维持或编程禁止时，呈高阻。 CE： 片选输入端 OE ： 输出允许控制端 PGM： 编程时，加编程脉冲的输入端 Vpp：编程时，编程电压（+12V或+25V）输入端 Vcc： +5V，芯片的工作电压。 GND： 数字地。 NC： 无用端 2. EPROM芯片的工作方式 （1）读出方式 CE和OE端为低，Vpp为+5V，指定地址单元的内容从D7～D0上读出。 （2）维持方式 ：片选控制线高电平。数据端呈高阻。 （3）编程方式 Vpp端加规定高压, CE和OE端加合适电平，就能将数据线上的数据写入到指定的地址单元。 （4）编程校验方式读出EPROM值，校验是否正确。 （5）编程禁止方式 输出呈高阻状态，不写入程序。多片EPROM并行编程不同数据。 MCS-51外扩单片32K字节的EPROM 27256的接口。 3. 使用多片EPROM的扩展电路 扩展4片27128。 6.3 数据存储器的扩展 1 常用的静态RAM（SRAM）芯片 6116、6264、62128、62256。+5V电源供电，双列直插，6116为24引脚封装，6264、62128、62256为28引脚封装。 各引脚功能如下: A0～Ai：地址输入线。 D0～D7：双向三态数据线。 CE： 片选信号输入。对于6264芯片，当CS为高电平,且CE 为低电平时才选中该片。 OE： 读选通信号输入线。 WE： 写允许信号输入线，低电平有效。 Vcc： 工作电源+5V GND： 地 有读出、写入、维持三种工作方式。 例2 程序与数据存储器扩展电路 单片机连接 8KB EPROM 2764 和 8KB RAM 6264 各一片 用线选法扩展8031外部数据存储器的电路。 地址线为A0～A12，故剩余地址线为三根。用线选法可扩展3片6264。3片6264对应的地址空间如下。 各片62128地址分配 P2.7 P2.6 译码输出 选中芯片 地址范围