电力电子半导体器件(GTO).pptVIP

第六章 可关断晶闸管（GTO） §6.1 GTO结构及工作原理 §6.2 特性与参数 §6.3 GTO的缓冲电路 §6.4 门极控制技术 §6.５　GTO的串并联 §6.6　GTO的过电流保护 §6.7　GTO的应用 ②电路参数的影响： a.串并联电阻和电容的影响 GTO门极回路中串联电阻，将阻碍门极电流的抽出。若电阻过大且门极电压不高，会使门极电流过小，导致阳极电流的关断能力下降，甚至会出现关不断的现象。一般，大功率GTO应用中该电阻只是毫欧数量级，有时根本不串电阻并尽量缩短门极引线长度，以便减小门极电阻和不必要的引线电感。 门极回路中并联电阻或电容，相当于外加短路发射极，可以提高GTO的dv/dt耐量，增加热稳定性。并联电阻越小，电容越大，阳极电压的温度范围越宽，热稳定性越好。 b.串联电感的影响 门极串联微亨级小电感，可以限制门极电流上升率，提高关断能力。由于电感的作用，在门极电流下降时，延长其作用时间，等效加宽关断信号宽度。另外，电感产生的反向电压可使门极处于短时间的雪崩状态，有利于载流子从门极抽出，使可关断阳极电流增加。 串入电感，使GTO的存储时间，下降时间和雪崩时间均加长，关断增益提高，尾部电流的起始值IT1减小。 c. 门极反偏电压的影响 如上图，门极反偏电压越高，可关断阳极电流越大；阳极dv/dt耐量越大，有利于GTO安全运行。 四、门极驱动型式： 1．直接驱动：门极驱动电路直接和GTO门极相连。 优点：输出电流脉冲的前沿陡度好，门极脉冲波形干净，易于消除寄生振荡和排除寄生振荡产生的门极瞬时过电流或过电压。 缺点：由于直接驱动，驱动电路中的半导体开关器件必须直接承担GTO的门极电流，故开关器件的电流比较大，由于门—阴极间内阻小，尤其动态内阻更小，用晶体管驱动时，晶体管很难饱和，因此，功耗大、效率低。 为了安全，驱动电路电源必须和控制系统电源隔离。 2．间接驱动：间接驱动是驱动电路通过脉冲输出变压器与 GTO门极相连接。 优点：GTO主电路与门极控制电路之间有变压器做电隔离， 对控制系统来说较为安全。利用变压器可进行合理 的阻抗配合，使驱动电路的脉冲功率放大器件电流 可以大幅度减小。 缺点：输出变压器的漏感使输出电流脉冲前沿徒度受到限 制，输出变压器带来的寄生电感和电容易产生高频 寄生振荡，致使门极脉冲前后沿出现电压和电流寄 生振荡，有可能出现门极瞬时过电压或过电流，而 且造成GTO不能干净利落地开通和关断。 五、门极控制电路实例： 直接驱动开通和关断的门极电路 GTO是目前耐压最高，电流容量最大约全控型电力半导体器件，因而在高电压、大容量的应用领域如机车牵引，大容量不停电电源、高压电机的供电与调速等应用中具有无可争辩的优势。但是，随着整机设备电流容量和电压等级的不断提高，GTO器件也必须串、并联使用。 一、GTO串联使用 解决静、动态均压问题 静态采用均压电阻 动态采用均压电感 二、 GTO并联使用：主要解决器件间动态均流问题 由于GTO器件自身的特点，在并联使用中尚需注意： (1)GTO具有最大阳极可关断电流，并联支路中不平衡电流不能超过此值，否则有被损坏的危险。 (2)GTO内部为若干GTO元并联而成，因而对于开关损耗的均衡分布有严格的要求，否则会产生局部过热，造成损坏。为此，要求并联GTO的开关损耗也要均衡。 (3)GT0的可关断阳极电流、开通延迟时间以及存储时间等参数与门极开通相关断脉冲密切相关，因而门极电路的参数对并联使用有一定影响。 (4)GTO为快速大功率器件，电路结构、阴极引线电感和均流电抗器漏电感等参数对并联使用均有影响。 一般常见：强迫均流法和直接并联法。 一、过电流的产生与过电流特性 GTO主要应用于大容量的斩波器、逆变器及开关电路中，其中最引入关注的问题是由于各种原因造成的短路过电流现象，因为它严重地威胁着器件乃至整机设备的安全。为此，必须研究过电流产生的原因以及如何在过电流情况下采取措施保护措施。 1．过电流产生原因：过载和短路 过载电流可用反馈控制法进行保护。短路过电流原因有： ① 逆变器的桥臂短路 ② 输出端线间短路（电机负载启动） ③ 输出端线对地