高压纳秒双快沿脉冲源研究.pdfVIP

“4 四川省电子学会电子测量与仪器专委会第十四届学术年会论文集 高压纳秒双快沿脉冲源研究 王欣 (中国工程物理研究院电子工程研究所 四川 绵阳 621900) 摘要本文简要介绍了一种基于高压场效应管(MOSFET)的纳秒级双快沿脉冲源的原理。 着重从脉冲源快前沿与快后沿成形机理、高压MOSFET多管级联以及提高MOSFET输出脉冲开关 速度的“过”驱动理论等几方面出发，分析了提高脉冲源输出特性的方法并通过实验验证，实验中 确定由高压雪崩管及脉冲变压器组成的特殊大电流“过”驱动电路，产生了幅度大于4kV、前后沿 均小于5ns的高压快脉冲。 关键词高压MOSFET纳秒级“过”驱动双快沿 1 引言 脉冲源技术是随着现代科学技术的发展和需要而应运而生的，其中高压快脉冲源输出以其快沿 (纳秒级)、高压(幅值千伏)、低晃动(纳秒级)等优点，广泛应用于抗核加固、核爆模拟、电磁 脉冲研究、惯性约束聚变等近代科学与高技术领域，具有重要的实用价值。高压快脉冲源的技术基 础核心是高压快开关，其中固体器件开关具有速度快、晃动小等优点正逐步取代电真空器件成为主 流。而在由固体器件构成的快脉冲源中，一般采用雪崩晶体管设计，输出脉冲可达到高幅度与快前 沿，但由于器件电流驱动能力差，输出脉冲宽度较窄，虽通过级联可以提高输出功率，如MARX 电路，但提高有限且增加了电路的复杂性，电路可靠性变差。为克服上述不足，本文作者提出一种 采用具有大脉冲电流、高漏源电压、小导通内阻的MOSFET器件作为脉冲源开关，采用多管串联提 高输出脉冲幅度；采用MOSFET栅极的特殊“过”驱动以达到较快的开关速度；采用新的脉冲前和 后沿成形等方法，在实验中做成了前后沿在5ns左右，幅度大于4kV的脉冲源，并对其中关键技术 进行了研究与探讨。 2系统原理 由于该脉冲源输出同时要求快前沿、快后沿且要求一定的脉冲宽度，因此不能采用通常的单开 关传输线成形方法。经研究我们提出一种由两个高速高压开关组成形成级分别形成脉冲的前后沿的 方法，其原理框图如图1示。 图中前后沿成形级开关均由高压MOSFET串联组合而成(原理框图如图2)，电路几乎完全一 样，外接触发脉冲经相应电路产生形成脉冲宽度间隔的前后两个触发脉冲，图1中阻尼l，2作用是 减小前后沿放电组合开关对前沿和后沿的高频损耗与过冲。 四川省电子学会电子测量与仪器专委会第十四届学术年会论文集 115 触发脉冲成l I高压组合开I l输出脉冲前I亡=-=_ 触 形及跟随级lI．I关触发级l形及跟随级r丁．1关1毹f发级r，1沿成形级惮I沿成形级IL==z 发 输 入 卜一．1■叶广■’．1 r’o|1陛i，匕二 时及跟随级l’f关触发级I|‘I沿成形级l徽篆H篡2篡H訾恒 L=一 脉宽调节 幅度调节 图2脉冲源前后沿成形原理图 图l 电容负载高压脉冲源原理框图 v2都处在断开状态，C1上电压为零。当V，触发时，V1快速导通，v2仍为开路，C2通过Vl快速向 Cl充电，形成波形上升沿。当C，上电压上升到接近电源电压时，电压不再上升，通过大电阻R1缓 慢放电，形成一定宽度的平项。当达到所需脉冲宽度时，给v2触发信号，使Cl上的电压快速通过 V2泄放到零，从而得到一个较快的下降沿。输出脉冲宽度取决于前后沿触发脉冲间隔，其顶降取决 于后沿成形级组合开关的漏电流大小。 3关键技术分析与研究 在常规驱动条件下，MOSFET开关时间随其漏极电流增大而变大，在脉冲大电流工作时其开关 时间可增至数十纳秒[1】，这种驱动无法实现所需要的纳秒级脉冲前后沿。通过对限制MOSFET开关 感。 3．1 MOSFET大电流快驱动