超结理论的产生与发展及其对高压MOSFET器件设计的影响_田波.pdfVIP

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2017-08-22 发布于湖北
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超结理论的产生与发展及其对高压MOSFET器件设计的影响_田波.pdf

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中国集成电路 CIC 产业发展 ChinalntegratedCircult 超结理论的产生与发展及其对高压MOSFET器件设计的影响田波程序亢宝位 , , 北京工业大学功率半导体器件和功率集成电路研究室北京 100022 ( , ) 摘要对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍以应用超结理论的 TM器件为例介绍了 : 。 COOLMOS , 超结器件的工作原理存在的缺点以及提出的改进方法并对其他基于超结理论的器件进行了简单介绍、 ; 。关键词超结器件功率半导体器件 COOLMOSTM导通电阻击穿电压 : ; ; ; ; TheDevelopmentandApplicationofSuperjunctionTheory TIANBo,CHENGXu,KANGBao-wei ( LaboratoryofPowerSemiconductorDevicesandICs, ) BeijingUniversityofTechnology,Beijing,100022,China TMdeviceas Abstract:Thegenerationofsuperjunctiontheoryanditsdevelopmentareintroduced.WithCOOLMOS anexample,theoperationalprincipleofsuperjunctiondevicesbasedonsuperjunctiontheoryisdiscussed,alongwith itsshortcomingsandtechniquesforimprovement.Finally,otherapplicationsofthesuperjunctiontheoryaredescribed inbrief. Keywords:Superjunctiondevice;Powersemiconductordevice;COOLMOSTM;On-resistance;Breakdownvoltage EEACC:2560P 得了飞跃式的发展尤其是功率MOSFET自从 20 1 引言。 , 世纪年代问世以来以其优越的电特性输入阻 70 , ( 抗高关断时间短等)在许多应用领域取代了传统功率半导体器件是不断发展的功率电子系、 - 的双极型晶体管在功率电