碳化硅-氧化铝陶瓷的超高压烧结的研究.pdfVIP

中国核学会核材料分会2007年度学术交流会 碳化硅一氧化铝陶瓷的超高压烧结研究 谢茂林1，罗德礼2，鲜晓斌2，冷邦义2，谢东华2，鲁伟员3，范辉2 (1．表面物理与化学国家重点实验室，四川绵阳718信箱35分箱，621907； 2．中国-I-程物理研究院，绵阳市919信箱71分箱，621900； 3．四川艺精超硬材料有限公司，四川江油，621700) 化硅(SiC)陶瓷，研究了烧结的SiC陶瓷的物相组成、微观结构、显微硬度等。结果表明：舢203是有效的低温烧结助 提高；烧结体致密无裂纹及孔隙。 关键词：两面顶；超高压；烧结；碳化硅；氧化铝 1引言 现代国防、核能和空间技术及汽车工业、海洋工程的迅速发展，迫切需要各种新型高性能结构材料。碳化 硅陶瓷具有高温强度大、抗氧化性强、耐磨损性好、热膨胀系数小、硬度高以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特 性，因此，已经在很多领域大显身手，并日益受到人们的重视【”】。 然而，SiC是一种共价键性很强的化合物，其自扩散系数极小．可烧结性很差。在传统的烧结工艺条件下， 紧密的接触和局部的挤压有利于它们表面上原子的键合，可以大大促进材料在烧结时的致密化过程；其次，超 高压在很大程度上改变了材料所处的热力学状态，有可能形成新的高致密相结构或新的高压化合物。这对于制 备高熔点材料具有十分积极的意义睁引。 物相组成、化学成分、显微结构及显微硬度等。 2实验 2．1原料 有限公司生产的1-A1203，粒径10nm。 2．2制备过程 2．3性能及结构的澍试与表征 保压15s。 3结果与讨论 3．1物相结构及成分分析 习 吲l j：同AI，01舔加辅的Si(1陶程XRD目 一 煳I力不同A1．o，舔加时ff．j 坐化什砰I新相AI，SiO，牛成分析乩为 内进仃的另力面烧缩t)：tltl钮．噶此烧站体·I—Ako，及SiC束发生丰f1转变AI，Si05n々，t成足由{一高坛牲体 c 娃Al!SiO 3．2微观结构 W{片『打』冬I 目2匀添机I币阳氧化q{牙Til：il：JSiC陶瓷烧i^休的SEM 正气孔罔中灰包K域土爰为SiC能曙分斩日色区域，』寓A1203K M203 瓷tI-A1203寓集IxiL]AI：0。黟轴jj崖及jr布咂加自f川、均匀，这可自2足Ill 木I11案程度小|【{i】导敢 黔L—兰2寻 l，J 挂J2不l，q^1．()t添m【I址的SiC陶嵌蛲特悼SEM¨日1；坐膏7％AI、O一柏AJ^节向竹m 7q a水搿JⅢAI，O，h!％AI、O)，cAI：Oj，d7％A1：01的A】禽壁面行布J 33性能 SiC陶瓷，姗n¨p鼙 …罔3IⅡ知，秉川超高压烧结j艺即伯!下耀加烧绱助帮l电uI技粥98％理l芒密侄以1．ff,j r A1203 SiC颗粒nJ ‘jSiC袭面的氧化物反啦牛成的A12Si05起到丁助烧结剂的作Ⅲ，改善rsic颗桩霹丽促进』’烧站的垃行： 示加量的增加，陶瓷的硬度僻眦提高 采用I丁．HP』-艺f4 中国核学会核材料分会2007年度学术交流会 获得SiC陶瓷具有高致密度、高硬度的性能。 ●，∞．2 h 100．0 懈●●J _ ●●．● ●●●．2 ¨∞ 一