典型碳化硅光学材料的超光滑抛光试验研究.pdfVIP

中国机械工程第 19卷第 21期 2008年 11月上半月 典型碳化硅光学材料的超光滑抛光试验研究 康念辉 李圣怡 郑子文 戴一帆 国防科学技术大学，长沙，410073 摘要：研究了三种典型的碳化硅光学材料 CVDSiC、HPSiC以及 RBSiC的材料去除机理与可抛 光性，并对其进行 了超光滑抛光试验 。在分析各种材料制备方法与材料特性的基础上，通过选择合理的 抛光工艺参数，均获得 了表面粗糙度优于Rq一2nm(采样面积为 0．71mm×0．53mm)的超光滑表面。 试验结果表明：研磨过程中，三种碳化硅光学材料均以脆性断裂的方式去除材料，加工表面存在着裂纹 以及材料脱落留下的缺陷；抛光过程中，CVDSiC主要 以塑性划痕的方式去除材料 ，决定表面粗糙度的 主要 因素为表面微观划痕的深度 ；HPSiC同时以塑性划痕与晶粒脱落的形式去除材料，决定表面粗糙 度的主要 因素为碳化硅颗粒大小以及颗粒之间微孔的尺寸 ；RBSiC为多组分材料 ，决定其表面粗糙度 的主要因素为RBSiC三种组分之间的去除率差异导致的高差。 关键词：碳化硅 ；抛光 ；去除机理；表面粗糙度 中图分类号 ：TH16 文章编号：1()04—132X(2008)21—2528～04 ExperimentalResearchonSuper—smoothPolishingProcessofTypicalSiliconCarbideM aterials KangNianhui LiShengyi ZhengZiwen DaiYifan NationalUniversityofDefenseTechnology，Changsha，410073 Abstract：Super— smooth polishing experimentswere carriedoutherein to study thepolishing mechanismsandpolishabilityofthreetypesofsiliconcarbidematerials：CVD SiC (chemica1vapor depositionsiliconcarbide)，HPSiC(hot—pressedsiliconcarbide)andRB SiC(reaction—bondedsili— concarbide)．A surfaceroughnessofbetterthan2nmRq(0．71ram ×0．53ram)wasachievedbyanaly— zingthecharacteristicofeachmaterialandselectingprocessingparametersforeachmateria1．Theex— perimentalresultsindicatethatduringthelappingprocess，threetypesOfsiliconcarbidematerialsare al1removedbybrittlefracture，andthereexistsurfacecracksandpitscausedbymaterialsbeingpulled outonthesurfaces．Duringthepolishingprocess，CVD SiC isremovedmostlybyplasticscratches， thusthedominantfactorofthesurfaceroughnessiSthedepthofthescratchonthepolishedsurface； HP SiC isremovedbyplasticscratchandgrainsbeingpulledoutatthesametime．andthedominant factorsofthesurfaceroughnessarethesizesoftheSiC particlesandthem icroporesbetweentheparti— cles：RB SiC iSremovedmostlybyplasticscratches．andthedominantfactorofthesurfaceroughness istheheightdifferencebetweenthethreecomponentsofRBSiC becauseoftheirdifferentmaterialre— moval