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基于亲水表面处理的GaAsGaN晶片直接键合.pdf
第 卷 第 期 半 导 体 学 报
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年 月 !
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基于亲水表面处理的 ! 晶片直接键合
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王 慧 郭 霞 梁 庭 刘诗文 高 国 沈光地
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北京工业大学电控学院!北京市光电子技术实验室!北京 $
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摘要对晶片进行亲水表面处理!在氮气保护下 热处理 !成功实现 与 晶片的直接键合!键
N$$l P$KH: UG/A UG(
合质量较好 扫描电子显微镜观测结果表明!键合界面没有空洞 光致发光谱观测结果表明!键合工艺对晶体内部
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结构的影响很小 可见光透射谱测试结果表明!键合界面具有良好的透光特性 与 晶片直接键合的成
8 8UG/A UG(
功!为实现 和 材料的集成提供了实验依据
UG/A UG( 8
关键词晶片直接键合% % %光电子集成
UG/A UG(
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中图分类号 文献标识码 文章编号 # $
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谱 $(可见光透射谱对键合界面特性进行了测
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J 引言 试!并简单分析了键合机理8
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晶片直接键合技术是材料集成的一项新工艺 K 实验
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8
利用键合技术可以集成晶格或晶向失配的材料!制
实验采用的晶片都是通过金属有机物化学气相
造传统外延生长技术不能制造的结构和器件%可以
沉积 $技术生长得到的 晶片是在
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