第五章－非平衡载流子－朱俊-09.pdf

第 五 章 非平衡载流子 Non-equilibrium Carrier Prof. Dr. Jun Zhu 主要内容： （六个方面，8学时） *掌握非平衡载流子的概念，以及其的产生与复合的一 般过程，了解非平衡载流子对电导率的影响。 *理解非平衡载流子寿命的概念，掌握非平衡载流子浓 度随时间的变化规律及常用的测量寿命的方法。 *理解准费米能级的概念，并能用其表征非平衡态时载 流子浓度和衡量半导体偏离平衡态的程度。 *掌握几种复合机构和复合理论和各种情况下的少子寿 命表达式。 *理解陷阱的概念和陷阱效应。 *载流子的扩散运动和漂移运动，掌握爱因斯坦关系式 理解少数载流子遵循的方程——连续性方程。 §5.1 非平衡载流子的注入与复合 处于热平衡状态的半导体，在一定温度下，载 流子的浓度是一定的。 平衡载流子 非简并条件下，半导体处于热平衡的判据式： E n p N N exp( g ) n 2 0 0 V C i kT 当对半导体施加外界作用时，出现与平衡态的偏 离，载流子浓度发生变化，可比n 和p 多出一部 o o 分，即非平衡载流子。 一、非平衡载流子的产生 1．光注入 ∆n no 用波长比较短的光 光照 h  Eg  po 照射到半导体 ∆p 光照产生非平衡载流子 2 ．电注入 （PN结正向工作时） 3 ．非平衡载流子浓度的表示法 产生的非子一般都用n，p来表示 。 n=n +n 0 达到动态平衡后： p=p +p 0 n ，p 为热平衡时电子浓度和空穴浓度， 0 0 n，p为非子浓度。 对同块材料： 非平衡载流子浓度有：n=p 热平衡时n ·p =n 2 ，非平衡时，n·p＞n 2 0 0 i i n—非平衡多子 n型： p—非平衡少子 p—非平衡多子 p型： n—非平衡少子 注意： n，p—非平衡载流子的浓度 n ，p —热平衡载流子浓度 0 0 n，p—非平衡时导带电子浓度