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强流电子注传输过程的测试与分析技术研究 阮存军 李庆生 吴迅雷 李崇山 李彦峰 中国科学院电子学研究所 中国科学院高功率微波源与技术重点实验室北京100190 摘要：在微波真空电子器件中，各种强流电子注成形与传输过程的物理特性对器件中电子光学系统的性 能优化、注波互作用效率的提高、器件稳定性的改善，以及电子注剩余能量回收具有重要的研究价值。 而目前通过对其电子光学系统的仿真设计以及直流通过率测量获得的电子注传输特性，已远远不能满足 现有器件性能改进及新型器件研究的需求。本文通过引入YAG：Ce晶片作为电子注截面与电流密度探测 的方法，有效地解决了应用于微波真空电子器件的强流电子注传输过程的实验测量技术。通过研制出的 仪器，对C波段多注速调管中电子枪静电聚焦及其在均匀场聚焦中的电子注传输特性进行了全面测量， 获得了电子注最小截面、波动周期、三维传输轨迹等重要数据。同时，也对不同电子注发射及传输的差 异性进行了研究，获得了具有可比性的实验结果。 关键词：强流电子注，电子注截面，电流密度分布，测试与分析，YAG：Ce晶片 1．引言 在大功率微波真空电子器件研究中，能量从千电子伏(1刚)到百千电子伏，电流强度从毫安(mA) 到几十安培(A)、脉冲宽度从微秒(us)、毫秒(ms)甚至连续波范围内的各种类型的强流电子注，如 electron electronbeam)、环形电子注(Annularelectron 圆柱电子注(Cylindricalbeam)、回旋电子注(Gyro electron electronbeam，简称多注)、带状电子注(Sheetbeam，简称带状注) beam)、多电子注(Multiple 等的均匀性产生、高压缩比成形、稳定性聚焦、长距离传输、与高频系统的高效率相互作用，以及电子 注剩余能量的高效率回收等特性是开展各类真空电子器件设计与研制，性能改善与提高所必须解决的基 础科学问题和关键技术【l】。研究表明，一种类型的强流电子注及其电子光学系统的技术突破与水平，将 在很大程度上决定了采用该种电子注的多种类型真空电子器件的技术水平，进而推动多种高性能真空电 子器件的发展与应用【2-3】。 目前，对于微波真空电子器件中强流电子注及其电子光学系统进行研究所能采取的手段有以下两 种：(1)采用理论计算与模拟仿真设计虽然能够获得电子注成形和传输过程的轨迹及其物理特性，但由 于其物理模型与算法的近似性，通过计算与仿真无法完全反映出电子注的某些宏观运动过程及其注波互 作用过程的微观物理特性，甚至与电子注实际的物理特性相差甚远；(2)工程上制造出的电子束管，通 过对其直流和高频通过率测试方法虽然可以大体获得电子注及其与高频系统互作用的电子注特性，但无 法给出传输和互作用全过程中电子注微观和宏观的物理图像，更无法给出这些过程中束流截面形状、电 流密度分布、速度零散等对真空电子器件性能指标来说至关重要的物理特性。目前，这种现状已经阻碍 了现有真空电子器件技术潜力的挖掘及其性能指标的进一步提高。同时，各种类型的新型微波真空电子 器件也对其所需的强流电子注及其电子光学系统的可视化研究提出了迫切的需求。 为了突破上述两种研究方法的限制，探索精确的测量方法与分析技术，对各种强流电子注成形与传 输过程中的空间三维运动轨迹、束流截面形状、电流密度分布、速度零散(或能散)等关键物理特性进 行测量，并通过获取的数据对其运动过程进行全面分析，优化电子注成形与传输的物理特性，进而获得 电子注在宏观上的高效率传输特性及对电子注剩余能量进行高效率回收的方法与技术，在微观上电子注 与高频系统高效率互作用的过程及其机理机制，是微波真空电子器件发展与研究中急需解决的关键技术 与重要研究方向。 2．束流截面与电流密度测试分析技术 目前，国内外有关强流电子束检测与诊断的研究工作大都集中在高能粒子与加速器领域，所涉及的 电子束能量大都在百Mev至GeV之间，电流强度kA以上。因此，在束流截面和能量测量中所采用的切 伦科夫辐射(CR)、光学渡越辐射(oTR)和轫致辐射(BR)等物理效应一q#常明显，也非常适合采用这些 效应对强流电子注特性进行测试和分析。然而，微波真空电子器件所涉及的强流电子注，由于其能量从 几KeV到百KeV，束流强度从百mA到几十A，脉冲宽度也从峭到ms甚至连续波。由于束流中