基底温度对电子束沉积SiO2薄膜的影响.pdfVIP

第 4l卷 第 lO期 中 国 激 光 Vo1．4l，No．10 2Ol4年 1O月 CHINESEJOURNALOFLASERS 0ctober．2014 基底温度对 电子束沉积 SiO2薄膜的影响 杜倩倩 王文军 李淑红 刘云龙 和晓晓 高学喜 张丙元 史 强 ， 聊城大学物理科学与信息工程学院，山东 聊城 252059、 ＼。山东省光通信科学与技术重点实验室，山东 聊城 252059／ 摘要 利用热力学统计理论及薄膜生长理论 ，给出了薄膜堆积密度 、折射率与基底温度之间的关系。在实验 中采 用 电子束热蒸发技术 ，在不 同的沉积速率和基底温度下制备了单层二氧化硅薄膜 。研究 了沉积速率与薄膜表面均 匀度及折射率 的关系 ，并着重分析了基底温度对薄膜折射率 、透射率 、表面形貌及微观结构 的影 响 。实验结果表 明：基底温度升高，薄膜表面粗糙度减小，晶粒 间隙缩小 ，折射率增加 ，透射率提高，吸收度 降低 。且当基底温度为 500℃时，在可见光区域 Si()：薄膜的透射率可达 99．4 以上 。对实验数据进行拟合 ，理论计算与实验结果符合得 很好 。 关键词 薄膜 ；电子束蒸发 ；基底温度 ；堆积密度 中图分类号 0484．4 文献标识码 A doi：10．3788／CJL201441．1007002 InfluenceofSubstrateTemperatureonSi02ThinFilmsby Electron Beam Deposition DuQianqian， WangWenjun’ LiShuhong， LiuYunlong’ HeXiaoxiao’ GaoXuexi， ZhangBingyuan， ShiQiang， SchoolofPhysicalScienceandInformationEngineering，LiaochengUniversity， Liaocheng，Shandong252059，China KeyLaboratoryofOpticalCommunicationScienceandTechnology，LiaochengUniversity， Shandong 252059．C ina Abstract Therelationshipofstacking density，refractiveindexandsubstratetemperature isobtainedbystatistical thermodynamicstheory and thin film growth mechanism ．MonolayerSiO2thin films are fabricated atdifferent substratetemperaturesand depositionratesby electron beam evaporation technology．Therelationships between depositionrateandsurfaceuniformity ，therefractive index arestudied．The influenceofsubstratetemperatureon therefractiveindex，transmittance，morphology，microstructureofthinfilmsiSemphaticallyanalyzed