ZnO-TFT的制备及ZnO薄膜性能研究.pdfVIP

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2008ChinaFPDConfeFenCe PDP及其它 马仙梅12荆海’李香萍3马凯1杨澍12杨小天‘杜国同3 2 王龙颜12王中建1 I中目科学院K春光学精《机械々物4研究所北方被日『程目究*发中o, 吉林,长春I30031, 00049 2中国科学%Ⅱ究牛院.北京1 30023 3吉林大学电子I程系光电子联台重-_实验室,t#+妊春I 摘要 ⅢM0cvD镕A&§*#S1NX±}K7ZnO#m-№dx%*”’”tA&女mA*《ⅡTZnO#Ⅸ*mm。##*BxRD#《”十自十 l 1口Ⅱ∞X№B.mr 自B076‘.m#^“#38I 自&矗f∞%#^*#m#*#. 关键词 ZnoTFTzno#Ⅸ;xRD.儿 刖置 m自}&$£#自f自镕W{‰∞自十Ⅲ“自m■mⅡR十《 *m&目&*《}∞,『】g∞&木.”∞m自f技丰一种&月的薄 Dz目目目 mm&垛# filmtra…itor,TH)4自《《《H自&i≈* 膜自件曾(thln 十&#者i§#月,m尊臃自体管十}{件日遵目∞性质对g件∞ 性能.d#I=#t要∞g目.目前.较*&蔫∞tn*Ⅸ自#* ∞自mg;栗月#日&0{I)}BR(p{-)。々镕Ⅱ种村料目&. ZnO镕ⅨHH[1]∞#*女&★.#m7t#$自*∞R∞}}## mmtⅫ J n.zⅡ0#薄Ⅸ“件*[26】%日u#女asi村#∞Ⅱ#$较*.目 gI№ g恤妯nI咖n 女自*十∞月Ⅸ.ⅢⅡRⅢ“《≈口一siM*《∞m№目nn4*£ g晰h咖帅kgq *I£。《ⅢU*£OLED*自&g自g#[7】、R目“目#m±女 日%#[8】.*自“#**№。 I冈 dhH“k口咖 2实验 21 ZnO薄膜材料的生长 f。目#¨※月 zno##丰I#*月M0cvD“mnsiNx/glassE DEZ自02#1Ⅲ^r.&^女^月nK《*#±nⅣ月0}*m{ cm,0± 1 33×10’Pa.&Mi**159D℃m^#q^r…20 3结果与分析 200…Ⅲ.№630s sc…±* ccm.&ⅢH*镕‰.m^#^2 3 1 ZnO薄膜特性 1 5目in£.*目zn*镕m々*。月x∞**ZnOm#Ⅻ#№白勺日#镕 目.*月325nm^8*m^☆**zno≈≠#№. 目2∞Asi 十20m自34 2 2器件制备 ÷女^0176 Zn0*H日#管(znOTFT)∞#目Ⅻ传&7FT目似}耍自¨

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