焊料空隙对隧道再生半导体激光器温度分布的影响.pdfVIP

第 34卷 第 1O期 北 京 工 业 大 学 学 报 V01．34 NO．10 7008年 10月 J0URNAL0FBEIJING UNIVERSITY0FTECHN0L0GY Oct．2008 焊料空隙对隧道再生半导体激光器温度分布的影响 张 蕾 一，崔碧峰 ，高 昕 ，李 明2，郭伟玲 ，王智群 ，沈光地 (1．北京工业大学 光电子技术实验室，北京 100022；2．北京跟踪与通信技术研究所，北京 100094) 摘 要：针对隧道再生半导体激光器，建立了内部的热源分布模型．模拟计算得到了2个有源区隧道再生半导 体激光器三维稳态温度分布。分析了焊料空隙对芯片内部稳态温度分布的影响．结果表明，当芯片与焊料为理 想全接触时，靠近衬底的有源区的热量积累略高于靠近热沉的有源区的热量；随着空隙的增大，焊料空隙上方靠 近热沉的有源区的局部温升较快，容易引起正反馈的电热烧毁，与实验结果吻合． 关键词：半导体激光器；温度分布；隧道再生；焊料空隙 中图分类号：TN248．4 文献标识码：A 文章编号：0254—0037(2008)10—1038—05 隧道再生半导体激光器可以在较小的注入 电流下获得比普通半导体激光器大得多的输出光功 率nJ，该种新型结构的激光器用隧道结连接了多个有源区，比传统单有源区的半导体激光器产生的热量 更加集中，因此，芯片与热沉之间的焊接技术成为散热的关键环节[3-4]． 由于焊料空隙引起的半导体激光器 30％的早期失效 占激光器失效总量的30％4【]．在半导体芯片与 热沉的焊接过程中，由于热沉的加工平整度不够好、焊料制备中产生杂质、热沉金属化中形成大颗粒等都 可能导致芯片与热沉之间出现焊料空隙．而焊料空隙的存在将导致空隙上方的芯片内部出现局部热点， 温度的增加又使吸收系数增大，形成恶性循环，于是导致器件功率退化较大，甚至失效．本文利用有限元 方法模拟分析了焊料空隙对隧道再生半导体激光器内部温度场分布的影响． 1 热源模型 关于半导体激光器的热源分布有许多模型[5】，而隧道再生大功率半导体激光器由隧道结将多个有 源区连接而成，热源分布复杂． 有源区在工作状况下会产生极大的载流子密度和光子密度，会有大量的非辐射复合、辐射吸收以及自 发辐射吸收，有源区内部的热流密度 V = [f^(1— )+(— ￡^)(卜 f)+(— ) (1一 )] (1) 式中，d。为有源区的厚度 ； ，为pn结上的电压降；为注入电流密度 ； 为阈值电流密度； 为自发发 射内量子效率； 为受激辐射内量子效率；p为 自发辐射光子从有源区的逃逸因子； 为出射效率 ． 盖层中的热源以及衬底上面的小部分来自对有源区自发辐射逃逸出的光子的吸收，热流密度 1 V 刁 一 Q：Q=．i2P十寺×———了 (2) 式中，』D为第i层的电阻率；df为第i层的厚度 ． 隧道结由重掺杂的rl型和 P型GaAs构成，热源来 自吸收损耗和该层的焦耳热，其中吸收损耗主要由 耗尽层的自由载流子吸收和耗尽层内的强场吸收构成，隧道结处的光场相对较弱[，因此，忽略这部分热 量．热量的产生按照盖层处理，即对来 自两侧有源区自发辐射逃逸出的光子的吸收以及焦耳热，热流密度 收稿 日期：2007—07．25． 基金项 几：国家重点綦础研究发展计划项门资助 (2006CB604902)，国家 自然科学基金项门资助 作青简介：张 1(1977一)炙，IIl两长治人．1 师；沈 地(1939一)男，湖南长沙人．教授．博一l生导师． 第 10期 张 蕾。等：焊料空隙对隧道再生半导体激光器温度分布的影响 2 pi+