ZnO基p-n结电注入发光研究.pdfVIP

第四届全国ZnO学术会议 长春8月13．15日 ZnO基p-n结的电注入发光研究 杜国同1一，夏d,)ll，赵旺，李香萍，张源涛，董鑫，杨天鹏，朱慧超，张宝林 1吉林大学集成光电子国家重点实验室 电子科学与工程学院 长春 130012 孙景昌，赵涧泽，梁红伟，边继明，付艳萍 2大连理工大学物理与光电工程学院大连116023 材料异质结，并实现了电注入发光。这些电注入发光均包含ZnO材料侧的可见和紫外发光和Si、 GaAs材料侧的近红外发光。由于ZnO是宽带隙材料，只有能量较高的电子．空穴对才能在ZnO 侧复合发光，而Si、GaAs衬底材料是窄带隙材料，大部分电子．空穴对均在这侧复合发光。虽 然Si是间接带隙材料，但是有声子参加，也可以得到较强的红外发光。所用在这些异质结结构 的电注入发光中，Si、GaAs侧的发光强度比ZnO材料侧的可见和紫外发光强度大许多，而ZnO 材料在0．4--21xm的波长范围内是透明的，可以制成光波导系统，提供将光源、探测器、调制器、 滤波器及相关电路等进行单片集成，因此可以说，这些异质结电注入发光现象的发现为光电集 成开辟了新的途径。 1、n．ZnO／p。GaN异质结的电注入发光 GaN材料与ZnO材料的晶格常数十分接近。我们利用路明公司的生产型MOCVD在A1203 注入发光。对其发光光谱分析表明，结两侧的znO层和GaN层均有发光。这种结构的发光效 率较高，利用ZnO激子发光优势，也可能成为获得高效蓝、紫光发光二极管的一种新途径。 2、p-ZnO／n．GaAs异质结的电注入发光 测试，发现其发光光谱由紫外、可见区和红外区两部分组成。分析表明，紫外及可见区发光来 自于ZnO层，红外区来自于GaAs层，其发光峰位置和相应材料的光荧光谱位置是对应的。这 种现象我们首次发现并报道【l】。 3、n-ZnO／p-Si异质结的电注入发光 在两种B(硼)掺杂【p-Si(电阻率～15 率～O．01 异质结发光器件。室温下也观测到紫、蓝色和近红外发光，和光荧光谱对比分析表明，紫、蓝 色电致发光来自ZnO层，较强的近红外发光来自于Si。这种光电器件为实现光集成、光互连器 件提供了一种新方法。 4、p-ZnO／n．ZnO同质结制备及其电注入发光 108 第四届全国ZnO学术会议 长春8月13．15日 发光测试，观察到来自于ZnO的带边紫外电注入发光和与缺陷有关的深能级可见区发光。 特别是在c面蓝宝石衬底上，我们利用MOCVD技术生长了高质量ZnO薄膜，在生长过程 中用NH3进行N掺杂，然后在N20等离子气氛中退火，成功制备出较好的P型ZnO薄膜，据 此制备了P．ZnO／n．ZnO／c—A1203结构。室温下进行电致发光测试，观察到较强的ZnO带边紫外 电注入发光，如图I所示。 0 粤 含 备 研 5 呈 套 g 要 宙 点 瘟 图1．p-ZnO／n-ZnO／c·A1203电注入发光光谱(左图)和光荧光谱(右图) 虽然ZnO薄膜光泵浦紫外激射在十几年前就已经实现了‘2。“】，但是，实现良好的电注入 发光与激射还有相当困难，我们的实验也说明了这一情况。我们目前制备的ZnO基p-n结器件 很难获得高效的ZnO带边电注发光，通常得到的缺陷相关的可见光发射强度要比带边发光强度 大许多。其主要原因可能是目前制各的ZnO薄膜大多数是C轴取向生长的薄膜，晶体质量还不 够完美，晶粒边界和缺陷的存在，大大增加了非辐射复合跃迁几率，同时也大大减小了载流子 的横向迁移率。再有，高质量的、稳定、可靠的P型ZnO还不容易制备，受主杂质在ZnO中溶 解度低或掺入后难激活(受主的束缚能超过150meV)，制各空穴浓度高于101Scrn。3的ZnO薄 膜是很困难的，受主掺入后又引起ZnO