150A%2f150V低导通电阻VDMOS器件研究.pdfVIP

中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会 150A/150V 低导通电阻VDMOS 器件的研究 刘道广，王均平，黄新，陈思敏，周伟松，张斌，王培清 清华大学电力电子厂 102201 liudaoguang@mail.tsinghua.edu.cn 摘要：本文详细介绍了150A/150V 低导通电阻大功率VDMOS 器件的设计、工 艺制造及封装的关键技术。通过对研制样品进行全参数的测试，获得导通电阻小于 13 毫欧，VDS 大于150V，ID 大于150A 的好结果。 关键词:导通电阻,电力电子器件,绝缘栅双极晶体管 _ Study on low On resistance VDMOSFET with 150A/150V Liu Daoguang, Wang Junping, Huang Xin, Chen Siming, Zhou Weisong, Zhang Bin ,Wang Peiqing Tsinghua University Power Electronics factory, Beij ing 102201 Abstract: The design, processes and packing key technology of 150A/150V low On- resistance VDMOSFET devices are presented. The parameters of VDMOS devices had been tested, the results of On-resistance are less more 13m , the output currents more than 150A and the breakdown voltages of source-to-drain more than 150V were obtained. Key words ：0n-resistance, electric electronic devices, insulated Gate BipolarTransistor 1 引言 电力电子器件又称作开关器件，相当 无论是功率IC还是功率分 器件， 于信号电路中的A/D采样，称之为功率采 都是市场上最为活跃的电子器件，其市 样，器件的工作过程就是能量过度过程， 场规模的增长率一直高于半导体市场增 其可靠性决定了系统的可靠性。根据可 长率。功率IC和MOSFET应用广泛，几乎 控程度可以把电力电子器件分成两类： 所有的电子产品都会用到这两个产品， 近年来，随着整机产量的增加，这两种 半控型器件-第一代电力电子器件 产品的发展也十分迅速。功率IC和 上个世纪50年代，美国通用电气公 MOSFET是中国功率半导体市场上最重要 司发明的硅晶闸管的 世，标志着电力 的两个产品，此外，IGBT、整流管、晶 电子技术的开端。此后，晶闸管 （SCR） 闸管和双极晶体管也占有一定的市场份 的派生器件越来越多，到了70年代，已 [1] 经派生了快速晶闸管、逆导晶闸管、双 额 。 中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会 向晶闸管、不对称晶闸管等半控型器件， 是一种N 沟道增强型场控(电压)复合器 功率越来越大，性能日益完善。但是由 件.如图一所示,它属于少子器件.兼有 于晶闸管本身工作频率较 （一般低于 功率MOSFET 和双极性器件的优点:输入 400Hz），大大限制了它的应用。此外， 阻抗高、开关速度快、安全工作区宽、 关断这些器件，需要强迫换相电路，使 饱和压降 （甚至 近GTR 的饱和压 得整体重量和体积增大、效率和可靠性 降）、耐压高、电流大。IGBT 有望用于 降低。目前，国内生产的电力电子器件 直流电压为1500V 的高压变流系统中。 [2] 仍以晶闸管为主 。