Effects of parameters on the performance of amorphous IGZO thin films prepared by RF magnetron sputtering.pdfVIP

下载本文档

7
0
约1.63万字
约 5页
2017-08-20 发布于湖北
举报
版权申诉

Effects of parameters on the performance of amorphous IGZO thin films prepared by RF magnetron sputtering.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

Effects of parameters on the performance of amorphous IGZO thin films prepared by RF magnetron sputtering.pdf

OPT0ELECTRONICSLETTERS Vo1 ． 10No．5，1September2014 Effectsofparametersontheperformanceofamorphous IGZO thinfilmspreparedbyRFmagnetronsputtering NlUJian-wen(牛建文)’，MA Rui-xin(马瑞新)’。，WANG Yuan-yuan (王媛嫒)’，LIShi．na(李士娜)’， CHENGShi-yao(程诗壶)’，andLIUZi-lin(刘子林)’ J·SchoolofMetallurgicalandEcologicalEngineering,UniversityofScienceandTechnologyBejiing,Bejiing100083, China 2．BeijingKeyLab．ofGreenRecyclingandEx~actionofMetals，UniversityofScienceandTechnoloygBeijing,Bei． ring100083,China (Received29June2014) ~TianjinUniversityofTechnologyandSprnger-VerlagBerlinHeidelberg2014 Amorphousnidium-g·allium-·zincoxide(rozo)trnasparentconductivethinfilmsraeprepraedonglasssubsrtatesby radiorfequency(RF)magnertonsputtering．Theeffectsofsevenfactors，whichraesubstratetemperature，sputtering atmosphere，workingpressure，sputteringpower,annealingtemperaturenegmivebiasvoltagena dsputteringtime，on ， Hallmobility,rtnasmittanceandsurfaceroughnessraestudiedthroughorthogonalexperiments．Theresultsshow htat theeffectsofworkingpressure，substratetemperatureandspuaerngamtosphereonperformnaceoffilmsraethemost promnient．Accordingtohteexperimentalresultsna ddiscussion，relativelyreasonableprocesspraametersraeobtained ， whichraeworkingpressureof0．35Pa，subsrtatetemperatureof200。C，sputteringamtosphereofAr,sputteringpower of125W sputteringtimeof30min，negativebiasvoltageof0V andannealingtemperatureof300。C． Documentcode：AArticleID：1673-1905(2014105-0347—5 DOI 】0．1007／sl】80】．0】4．4】25．4 Th