FBAR薄膜体声波谐振器专利技术发展与分析.pdfVIP

科学发展 FBAR薄膜体声波谐振器专利技术发展与分析 崔 岩 (国家知识产权局专利局专利审查协作广东中心) 摘 要：FBAR(FilmBulkAcousticResonator)薄膜体声波谐振器作为谐振器领域的重要分支，比声表面波滤波器 (SAWF)、陶瓷介质滤波器具有更高 的Q值，低的损耗和在高频时具备更高的功率承受能力。由薄膜体声波谐振器组成的滤波器、双工器 目前已广泛应用于通信、生物、化学、物理等领域，本 文介绍了FBAR薄膜体声波谐振器专利技术的演进及发展，并关注近年来关于薄膜体声波谐振的专利分布。 关键词：薄膜体声波谐振器；FBAR：专利 一 、 弓I言 单元，本发明能够在不改变带外抑制的情况下降低滤波器的带插入损耗 自2000以来，国内关于FBAR薄膜体声波谐振器的专利 申请逐年增 通过以上专利技术的发明创新，获得由薄膜体声波谐振器带来的器件 加，截止 2013年，在中文专利数据库中已收入的国内申请已达到 540件， 高品质因素、减小寄生电容电感、减小电子设备体积和成本、减少制造工艺 但相较于具有FBAR强势领域的日本、美国等国家，仍旧有很大的发展空 成本、提高调谐范围的技术效果。根据近年来的专利申请，关于薄膜体声波 间。因此研究FBAR在专利行业中的技术发展和分布，有助于我们更加清 谐振器的专利发展，是对衬底、和电极的改进为主要技术发展方向，诸多的 楚、深刻的认识到FBAR的发展状况、进一步掌握其专利技术的演进。 专利申请是关于这两个技术方向的改进。 二、FBAR技术定义 (三)专利分布 。 FBAR薄膜体声波谐振器是利用材料的压电特性，将 电能转换成声能 各 国专利 申请分布 的器件 ，其基本的组成结构是 由衬底上支撑压 电薄膜、上 电极、下电极、其 关于薄膜体声波谐振器的专利 申请 ，1991年美 国首次 申请 了关于薄 他层 (如布拉格反射层)来构成，最常见的是一种 由上电极／压电薄膜 ／下电 膜体声波谐振器的专利，之后在 1999年，欧洲国家也加入对薄膜体声波谐 极／衬底构成的三明治结构。FBAR具有体积小、工作频率高、温度系数小、 振器的专利 申请行列，随后我国自2000开始有关于薄膜体声波谐振器的 损耗低的特点，能够级联构成滤波器，为高频器件提供解决方案。 专利 申请，同年，日本也开始 了薄膜体声波谐振器专利技术的发展，截止 目 三 、技术发展历程 前，关于薄膜体声波谐振器的专利申请量，形成了以日本、美国为主要 申请 (一)技术起源 国家的局面，薄膜体声波谐振器在各 国专利技术仍然处于起步阶段，还有 1991年 5月 l7日，WEsTINGHOUSEELECTRICCORP(WESE)公司 很大的发展空间。 申请了一件发明名称为微波薄膜体声波谐振器和多种滤波器组的美国专 专利 申请人分布 利m，自此开启关于薄膜体声波谐振器在专利领域的申请，在该专利 申请 在关于薄膜体声波谐振器的专利 申请中 其 申请人以外国公司为主， 中，介绍了一种FBAR，被配置为在开 口的基板上 通过形成于基板上的共 在 1991年至 2013年间的专利申请统计 中，三星公司关于薄膜体声波谐振 面的传输线连接到相关电路，这些传输线精简制作工艺，并且使得设备更 器的专利 申请量位居榜首，随后是安捷伦科技有限公司、富士通，日本的松 易于修改。从这篇专利中，尚未涉及对薄膜体声波谐振器本身结构的改进， 下、京瓷株式会社、东芝等纷纷在列。除三星外，各申请人在 申请量上差距 但对薄膜体声波谐振器的连接方式的改进 已初见端倪 。 不大，这表明各国关于薄膜体声波谐振器的专利 申请竞争激烈，未出现垄 (二)技术分解 断现象。在我