异质薄膜外延生长中温度对失配位错出现厚度的影响.pdfVIP

第 31卷 第 5期 原 子 与 分 子 物 理 学 报 Jo1．31 No．5 2014年 1O月 J0URNAL 0FAT0MICAND M 0LECULAR PHYSICS 0ct．2014 doi：103969／j．issn．1000—0364．2014．05．017 异质薄膜外延生长中温度对失配位错出现厚度的影响 张凤林 ，肖 亮 ，许卫兵 ，项少辉 (1．江西理工大学应用科学学 院，赣州 341000；2．江西沃格光 电科技有限公司，新余 338000) 摘 要 ：采用三维分子动力学模拟方法 ，使用 Ercolessi和 Adams建立的嵌入原子法 (EAM)多体势函数 ， 模 拟 了二维 晶格 失配铝膜 晶体 中失配住错 的形 成过程 ，通过体 系结构 和能量 曲线 两种 方法研 究 了温度对 位错 出现厚度的影响．结果显示 ：温度对于失配位错的形成有影响．同等条件下，随着温度 的升高，失配 住错的出现厚度变薄． 关键词 ：位错 ；二维 晶格失配 ；分子动力学模拟 ；铝 ；薄膜 晶体 中图分类号 ：TG146．2 文献标识码 ：A 文章编号 ：1000—0364(2014)05—0781—08 Temperatureeffecton appearancethicknessofmisfitdislocationsin heter0geneousepitaxialfilms ZHANG Feng—Lin ，XIAO Liang。，XU W ei—Bin ，XIANG Shao—Hui (1．FacultyofAppliedScience，JiangxiUniversityofScienceandTecnology，Ganzhou341000，China 2．JiangxiW ogePhotoelectricTechnologyCompanyLimited，Xinyu338000，China) Abstract：Three—dimensionalmoleculardynamicssimulationsofthemisfitdislocationsformationin epi— taxia1aluminum filmswithtwo—dimensiona1mismatchhavebeencarriedout．Theembeddedatom meth— od (EAM )potential，developedbyErcolessiandAdams，wasemployedforcomputingatomicinteraction inaluminum．Theatomicstructure evolution and energy variation havebeen used to investigate the effectoftemperatureonthefilm thicknesswhenthemisfitdislocation emerges．Theresultsshow that thetemperaturehasastronginfluenceonmisfitdislocation formations．W iththesameconditions，the appearancethicknessesofmisfitdislocationinaluminum filmsbecomethinnerastemperaturearises． Keywords：Dislocation；Two—dimensionalmisfit；Moleculardynamicssimulation；Aluminum ；Thinfilm crystal 晶体的使用性能．因此 ，采用分子动力学方法 ，用 引 计算机模拟薄膜外延生长，找出失配位错形成 的 异质薄膜外延生长过程 中，由于外延生长的