n-型有机半导体插入层提高p-型并五苯薄膜晶体管性能.pdfVIP

第 30卷第 11期 无 机 化 学 学 报 V0lJ30No．11 2014年 l1月 CHINESEJOURNAL0FIN0RGANICCHEMISTRY 2621．2625 n．型有机半导体插入层提高p．型并五苯薄膜晶体管性能 李 谊 ，2 刘 琪 1，2 蔡 婧 ，2 王喜章 2 胡 征 ，2 (南京大学化学化工学院，介观化学教育部重点实验室，南京 210093) (南京大学(苏州)高新技术研究院，苏州 215123) 摘要 ：在金 电极和 p-型并五苯有源层之间插入 n一型有机半导体层显著提高了并五苯薄膜场效应 晶体管的性能。在插入 2nm 厚的N,N-bis(2,2，3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，8，8，8一pentadecafluoroocty1)一1,4，5，8一naphthalenetetracarboxylicdiimide(NTCDI-C8V)和Ⅳ，Ⅳ一 diocty1．3，4，9，10一perylenediearboximide(PTCDI．C8)层后 ，器件 的阈值电压 由一19．4V显著降低到一1_8和一8．7V、迁移率提高了约2 倍、电流开关 比保持在 105106。这为通过简单地在 电极和有机半导体有源层之间引入其他有机半导体薄层 的方法来构建具有 低 阈值 电压和高迁移率特征的有机薄膜场效应晶体管器件提供思路 。 关键词 ：有机薄膜 晶体管；n一型有机半导体 ；插入层 ；阈值 电压 ；迁移率 中图分类号：0649．5 文献标识码：A 文章编号：1001—4861(2014)11-2621—05 DoI：10．11862／CJIC．2014．358 ImprovedPerformanceofP-typePentaceneThinFilm TransistorbyInsertingThin Interlayerofn—typeOrganicSemiconductor LIYi’。 LIUQi， CAIJing WANGXi—Zhang。HUZheng’。 (’KeyLaboratoryofMesoscopicChem~tryofMin~tryofEducation，SchoolofChemistryandChemicalEngineering,Nanjing University,Nnajing,210093，China) ( 出一TechReserchInstituteofNanjingUniversity(Suzhou),Suzhou，Jinagsu215123，China) Abstract：Thesignificantlyimprovedperformanceofpentacene—basedorganicthinfilmtransistors (OTFTs)is achievedbyintroducingthinn—typeorganicsemiconductorinterlayersofN,N-bis(2,2，3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，8，8，8- pentadecafluoroocty1)一1，4，5，8一naphthalenetetracarboxylic diimide (NTCDI-C8F) and N，N 一dioctyl一3，4，9，10- perylenedicarboximide(PTCDI—C8)betweenAusource／drainelectrodesandthep-typepentaceneactivelayer．By introducing2nlTlthicknessofNTCDI—C8F orPTCDI·C8 layer，thethreshold voltageoftheOTFT devicesis remarkablyreducedfrom -19．4to-1．8and一8．7V，respectively，andthemo