不同退火条件对磁控溅射CdS薄膜性能的影响.pdfVIP

第32卷第4期 红外与毫米波学报 V0 1．32，No ．4 20 13年8月 J ．I nf r ar ed Mi l l i m．Waves Augus t ，20 13 文章编号：100 1—9014 ( 20 13) 04—029 8—0 DOI ：10．3724 ／SP．J ．1010 ，20 13．00298 不 同 退 火 条 件 对 磁 控 溅 射 CdS薄 膜 性 能 的 影 响 张传军1’2，邬云骅2 ，曹鸿1’2 ，赵守仁2，王善力孙，褚君浩1’2 ( 1．中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海200083； 2．上海 太阳能电池研 究与发展 中心 ，上海20 120 1) 摘要：采用磁控溅射法，在衬底温度300℃制备Cd S薄膜，并选取370℃、3 80℃、3900C三个温度退火，获得在干燥 空气和CdCl 2源+干燥空气两种气氛下退火的CdS薄膜 ．通过研究热处理前后CdS薄膜的形貌、结构和光学性能 表 明，Cd S薄膜在干燥空气 中退火，晶粒度、表面粗糙度和可见光透过率变化不 明显，光学带隙随退火温度的升高而 增大；在CdCl ：源+干燥空气中退火，随退火温度 的升高发生明显的再结晶和 晶粒长大，表面粗糙度增大，可见光透 过率和光学带隙随退火温度的升高而减小．分析得出：上述性能的改变是由于不同的退火条件对CdS薄膜的再结 晶温度和带尾态掺杂浓度改变的结果 ． 关键词：CdS薄膜；磁控溅射；热退火；再结晶；带尾态 中图分类号：TN2 文献标识码 ：A Ef f ect of di f f er ent anneal i ng condi t i on s on t he pr oper t i e s of CdS t hi n f i l ms deposi t e d by magnet r on sput t er i ng ZHANGChuan—J unl ⋯ ，WU Yun—Hua 2 ，CAOHon9 1”，ZHAO Shou—Ren2 ， WANG Shan—Li 孙 ． CHUJ un—Ha 0 1，2 ( 1．Nat i onal Lab or a t or y f or I n fr a r e d Phys i c s，Shanghai I nst i t ut e of Techni c al Phy si cs ， Chi ne s e Ac ademy of Sci enc es ，Shanghai 200083 ，Chi na； 2 ．Shanghai Cent er f or Phot ovol t a i cs ，Shangh ai 201201，Chi na) Abst r act ：CdS t h i n f i l ms wer e deposi t ed on t h e su bst r at e at t emper at ur e of 300 oC by magne t r on s put t er i ng