CuO薄膜的阻变存储特性.pdfVIP

第28卷第3期 南华大学学报 (自然科学版) Vol_28No．3 2014年 9月 JournalofUniversityofSouthChina(ScienceandTechnology) Sep．2014 文章编号：1673—0062(2014)03-0076～06 CuO薄膜的阻变存储特性 胡 苹 ，尹 岚 ，陈 铀 ，李树玮 (1．南华大学 数理学院，湖南 衡阳421001；2．中山大学 物理科学与工程技术学院，广东 广州510275) 摘 要 ：利用等离子体辅助的分子柬外延设备在 SrTiO 掺 Nb(Nb：STO)的衬底上制 备了双层的Cu，O／CuO薄膜，经过测量其电流电压特性，发现Pt／Cu2O／CuO／Nb：STO 器件的阻变存储特性非常显著，而且可重复程度高，适合多次数据写入与擦除，有望 应用于信息存储领域． 关键词：分子束外延 ；双极 阻变开关；非易失性 中图分类号：0484．4 文献标识码：A ResistiveSwitchingCharacteristicsofCopperOxideThinFilms HU Ping ，YIN Lan ，CHEN You ，LIShu—wei (1．SchoolofMathematicsandPhysics，UniversityofSouthChina，Hengyang，Hunan421001，China； 2．TheSchoolofPhysicsandEngineering，SunYat-senUniversity，Guangzhou，Guangdong510275，China) Abstract：Inthisletter，bilayeredCu2O／CuO thin filmsweregrown onNb dopedSrTiO3 (Nb：STO)substratesbyplasmaassistedmolecularbeam epitaxy．Thecurrent—voltage characteristicsofPt／Cu，O／CuO／Nb：STOdevicesshowreproducibleandpronouncedcur— rent—voltagehysteresiswhichwasinducedbytheCu0／Nb：STOjunctions．Thedevicecan beusedasinformationstorageforitsreproducibilityandnonvolatility． keywords：molecularbeam epitaxy；bipolarresistiveswitching；nonvolatile 存储器件具有高密度、高操作速度、低功耗的特点 0 引 言 有望取代闪存和动态随机存储器件 (dynamicran- 当今，信息量爆炸式增长对半导体工业技术 domaccessmemory，DRAM)，于是找到合适的替 的要求越来越高，传统的存储技术已经显露出了 代者成了信息存储领域的一个研究热点．在所提 许多不足，且不能满足现在 的发展需求…．为了 出的可能替代者中，阻变随机存储器脱颖而出，它 解决这种现状，谋求信息技术的进一步的发展，开 是利用电阻开关效应来实现存储功能 ．电阻开 展新型的非易失性存储器研究非常有必要．这种 关效应是一种可逆的，非易失性的效应，在外加 电 收稿 日期 ：2014—03—30 基金项 目：国家 自然科学基金资助项 目；湖南省教育厅基金资助项 目(I1C1073) 作者简介：胡 苹(1980一)，女，湖南衡阳人，南华大学数理学院讲师，博士．主要研究方向：材料物理． 通讯作者 第28卷第3期