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半导体纳米晶体在薄膜晶体管中的应用／栾庆彬等 ·1 · 半导体纳米晶体在薄膜晶体管中的应用 栾庆彬，皮孝东 (浙江大学硅材料国家重点实验室，浙江大学材料科学与工程系，杭州310027) 摘要 以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术 目前 已经相 当成熟，在该技术投入使用并且得以很好地优化之 后，要想进一步提高薄膜晶体管的性能，就有必要开发新型的薄膜材料。近年来，由半导体纳米晶体构成的新型薄膜 材料在晶体管中的应用越来越受到人们关注。利用半导体纳米晶体制备的薄膜晶体管有着较高的载流子迁移率和 开关电流比，同时在其制备过程中可以在较低温度下大面积成膜，能够使用塑料等柔性衬底 ，因而具有明显的成本优 势，发展前景广阔。着重介绍了几种颇具潜力的半导体(如硒化镉、碲化汞、硒化铅、锗、硅)纳米晶体在制备薄膜晶体 管方面的应用。 关键词 薄膜晶体管 有源层 半导体 纳米晶体 硒化镉 碲化汞 硒化铅 锗 硅 中图分类号 ：TB321；TN321+．5 文献标识码：A DOI：10．11896／)．issrL1005—023X 2014．21．001 SemiconductorNanocrystalsforThinFilm Transistors LUAN Qingbin，PIXiaodong (StateKeyLaboratoryofSiliconMaterials，Zh@angUniversity；DepartmentofMaterialsScienceandEngineering， ZhejiangUniversity，Hangzhou310O27) Abstract Thin-film transistors(TFTs)arefabricatedmainlybyusingamorphoussilicon (a-Si)films．The questforTFrSwithimprovedperformancehasledtotheextensivestudyonnovelthin-film materials．Inrecentyears semiconductornanocrystals(NCs)haveattractedgreatattentionbecauseoftheirpotentialinthepreparationofthin filmsforTFTs．ThecarriermobilityandIo／L“ratioofTFTsbasedonsemiconductorNCsmaybehigh．Itispossi— blethatlarge-areasemiconductor-NCthinfilmscanbeobtainedatthetopofflexiblesubstratesatlow temperature， givingrisetothelow costofthemanufacturingofTFTs．TheexcitingprogressofTFrsbasedontypicalsemiconduc— torNCssuchasCdSe，HgTe，PbSe，PbTe，GeandSiNCsareintroduced． Keywords thinfilm transistor，activelayer，semiconductornanocrystals，CdSe，HgTe，PbSe。PbTe，Ge，Si 间的电流和晶体管处于 “关态”下源漏电流的比值，开关电流 0 引言 比越高，代表器件的切换速度越快，更能实现有效驱动)；阈 在平板显示 日趋成为主流显示的大背景下，薄膜晶体管 值电压(即开启电压 ，用 或者 V 表示，阈值 电压