外延生长碳化硅-石墨烯薄膜的制备及表征研究.pdfVIP

年第 期( )卷 ０４１４０ ２０１５ ４ ４６ 文章编号: ( ) １００１Ｇ９７３１２０１５０４Ｇ０４１４０Ｇ０４ 外延生长碳化硅 石墨烯薄膜的制备及表征研究∗ Ｇ , , , , , , , , 张学敏 张立国 钮应喜 鞠 涛 李 哲 范亚明 杨 霏 张泽洪 张宝顺 　 　 　 ( , ) 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 江苏 苏州 ２１５１２５ : 、 摘 要 石墨烯作为一种碳原子所组成的二维蜂窝 长后的样品无需进行衬底腐蚀 样品迁移等繁琐的工 　 　 , , , . 状结构晶体 具有诸多优异的特性 从而倍受全世界科 作 直接可以进行电学测试 这样就降低了在转移过 . 、 . 学工作者的关注 在碳化硅衬底上外延生长石墨烯是 程中引入的缺陷 掺杂等因素的影响 这也使得 SiC 实现石墨烯在微电子领域中应用的最有效途径之一. 衬底上外延生长石墨烯成为实现石墨烯在微电子领域 , . 利用感应加热的高温CVD设备 先在 ４HＧSiC衬底上 应用的最有效途径之一 , 外延生长一层 ２~１０ m厚的碳化硅 然后直接再在 目前 SiC外延生长石墨烯都是采用单晶 SiC衬 μ . , , 外延碳化硅上原位外延生长石墨烯 实现外延碳化 底 而传统的单晶制备法得到的SiC材料缺陷较多 难 , , . 硅 石墨烯的连续生长 从而减少氢气刻蚀带来的晶格 以控制厚度和掺杂 往往达不到制造器件的要求 并 Ｇ , 缺陷和表面硅富集严重削减现象 并使低成本制备碳 且在外延生长石墨烯之前需要对衬底进行氢气刻蚀的 [ ] . 、 １０ , ( ) 化硅上的石墨烯成为可能 通过拉曼光谱 扫描电子 步骤 因为碳化硅经过化学机械抛光 CMP工艺处 , , 显微镜及 射线光电子能谱等表征 验证了该方法生 理之后表面会存留很多划痕 直接用其来生长制备的 X . ,