Influence of compressive strain on the incorporation of indium in InGaN and InAlN ternary alloys.pdfVIP

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2017-08-20 发布于湖北
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Influence of compressive strain on the incorporation of indium in InGaN and InAlN ternary alloys.pdf

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Influence of compressive strain on the incorporation of indium in InGaN and InAlN ternary alloys.pdf

Chin．Phys．B Vo1．24，No．1(2015)017302 TlnnnUenCe0InCOm Dressl●vestr·ai●n ont·llle-incorporat·-ion otn indium inInGaNandInAIN ternaryalloys木 ZhaoYi(N --)，ZhangJin—Cheng(张进成)十，XueJun．Shuai(薛军帅)， ZhouXiao—Wei(周小伟)，XuSheng．Rui(许晟瑞)，andHaoYue(郝跃) KeyLaboratoryofWindBand—GapSemiconductorMaterialsandDevices，SchoolofM icroelectronics，XidianUniversity,X／’an710071，China (Received26June2014；revisedmanuscriptreceived27August2014；publishedonline25November2014) Inorderto investigatetheinfluenceofcompressivestrainon indium incorporation in InAlN andInGaN ternary nitrides．InA1N／GNa heterostructuresandInGNa filmsweregrownbymetal-organicchemicalvapordeposition．Forthe heterostructures．differentcompressivestrainsareproducedbyGaN bufflerlayersgrownonunpatternedandpatterned sapphiresubstratesthankstothedistinctgrowthmode；whilefortheInGaN films，compressivestrainsarechangedby employingA1GaN templateswithdifierentaluminum compositions．Byvariouschraacterizationmethods．wefindthathte compressivestrainwillhampertheindium incorporation inboth InAlN andInGNa ．Furthermore．compressivestrain is conducivetosuppressthenon—unifornldistributionofindium inInGaN ternrayalloys． Keywords：compressivestrain，indium incorporation，InA1N，InGaN PACS：73．61．Ey,73．40．Kp，79．60．Jv，78．70．Ck DOI：10．1088／1674—1056／24／1／017302 1．Introduction AlN andInGaN isconcentratedon．ForInA1N．differentcorn— pressivestrainsraerealizedbyrespectivegrowhtsofGaN tem— InN—based ⅡI—V nitridescurrently attractintensiveat— tentionfortheirpotentia1deviceapplications． Forexam— platesonanunpattemedplanra sapphiresubstrate(UPS)and