Pb（Hf0.3Ti0.7）O3铁电薄膜的制备与性能研究.pdfVIP

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2017-08-20 发布于湖北
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Pb（Hf0.3Ti0.7）O3铁电薄膜的制备与性能研究.pdf

林亚丽等: ( ) 铁电薄膜的制备与性能研究 PbHf Ti O ０．３０．７３２４０９１文章编号: ( ) １００１Ｇ９７３１２０１４２４Ｇ２４０９１Ｇ０４ ( ) 铁电薄膜的制备与性能研究∗ PbHfTi O ０．３０．７３ , , , , , 林亚丽朱俊吴智鹏刘兴鹏吴诗捷李俊峰　 ( , ) 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都６１００５１ : / , 摘要采用脉冲激光沉积方法在不同温度下生长衬底上制备薄膜分析了生长温度对薄膜　　 SiO Si PHT ２ ( ) ( ) , , PbHfTi O PHT铁电薄膜利用各种表征手段的生长取向与表面形貌的影响然后在薄膜上制备了０．３０．７３ . , / , . 测试并分析薄膜的微观结构和电性能研究表明生 NiAu上电极并对其进行了相关电学性能测试长温度为沉积的薄膜具有良好的( )择４００℃ PHT １１１实验２　　优取向; 薄膜矫顽场( )为 / ,剩余 PHT ２Ec ３９０kV cm ２９ ( ) / , , 极化强度２Pr 为５３．１ Ccm 经１．５×１０次翻转后利用沈阳中科仪公司生产的脉冲激光沉积系统 μ ; , 剩余极化强度保持８５％ PHT薄膜绝缘性能良好相德国LAMBDAPHYSIK公司生产的COMPEX２０１型对介电常数约为 . 薄膜有望应用于铁电随准分子激光器( )在 ( )/ / / ５４０ PHT KrF λ＝２４８nm Pt１１１ TiSiO２机存储器. 基片上制备约厚的 ( ) 薄膜. Si ２００nm PbHf Ti O ０．３０．７３ : ( ) ;