CuInS2纳米纸阵列薄膜的制备及生长机理.pdfVIP

VolI35 高 等 学 校 化 学 学报 No．11 2014年 11月 CHEMICALJOURNALOFCHINESEUNIVERSITIES 2310～2316 doi：10．7503／cjc CulnS2纳米纸阵列薄膜的制备及生长机理 庄米雪 ，魏爱香 ，刘 俊 ， ，颜志强 ，招 瑜 ， (1．广东工业大学材料与能源学院，2．广东省功能软凝聚态物质重点实验室 ，广州510006； 3．浙江大学硅材料国家重点实验室 ，杭州310027) 摘要 采用溶剂热合成技术 ，以氯化铜、硝酸铟和硫脲为反应物，十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为阳离子 表面活性剂，草酸为还原剂，无水乙醇为溶剂 ，直接在掺氟的SnO：透明导电玻璃 (FTO)衬底上合成 CulnS (CIS)薄膜．采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射 (XRD)、拉曼光 谱 、能量色散谱 (EDS)、紫外-可见(uv—Vis)反射光谱和透射光谱对样品的形貌、结构、成分和光学性能进 行分析．结果表明，在适当的反应物浓度下，在FTO衬底上形成了垂直衬底生长的、具有 良好结晶性能的黄 铜矿结构的CIS纳米纸阵列薄膜．CIS薄膜中cu，In，S的原子比为 1．1：1：2．09，在紫外一可见和近红外波段 具有良好的光吸收特性，禁带宽度约1．51eV．结合不同反应时间制备的CIS薄膜的形貌、结构和成分分析， 讨论了CIS纳米纸阵列薄膜的生长机理． 关键词 溶剂热合成技术 ；CuInS：；纳米纸阵列薄膜；生长机理 中图分类号 0611 文献标志码 A 近年来，CulnS(CIS)半导体薄膜作为一种理想的薄膜太阳能电池材料，在新能源研究领域备受关 注．CIS是 I一Ⅲ一Ⅵ族三元化合物半导体材料，具有黄铜矿、闪锌矿和铅锌矿3种晶体结构 和以下特 点：(1)CIS为直接带隙半导体材料，室温下禁带宽度为 1．53eV_2J，接近太阳能电池材料所需的最佳 禁带宽度值(1．45eV)J，非常适合用作太阳能电池的光吸收层材料；(2)吸收系数高达 10cm～，以 其作为太阳能电池的光吸收层时膜厚仅需 1～2 m就足以吸收90％的太阳光 |4J，大大节约成本； (3)通过控制Cu／In和S／(Cu+In)的比例可改变薄膜的导电类型，当n(cu)／(In)l时，薄膜通常呈 n型；当rt(S)／n(Cu+In)1时，薄膜通常呈P型 ；(4)不含任何有毒成分，且价格较低，适合大规模 生产；(5)CIS太阳能电池的理论转换效率为28％～32％C6J，在薄膜太阳能电池中最高，而且具有 良 好的热稳定性 ．由此可见，CIS薄膜太阳能电池转换效率高，大面积制备简单，性能稳定，成本低， 是一种非常有发展前景的太阳能电池材料．据报道，CIS薄膜太阳电池最高的实验光电转换效率只有 13％ J， 还具有很高的提升空间，因此对CIS薄膜材料的研究具有重要意义． 目前制备 CIS薄膜的常用方法是溅射金属预制层．硫化法 ’m和多源共蒸发法H ．这两种制备技 术在实验室和生产线上都有采用，但其要求在高真空系统中进行，成本高且耗能大．与溅射和蒸发技 术相比，溶剂热合成技术工艺简单、成本低、耗能小 1【2]；同时，与溅射和蒸发技术制备的 “平面”薄膜 相比，采用溶剂热合成技术制备的CIS阵列薄膜H 有利于减少薄膜表面对光的反射，增强光在纳米 阵列薄膜中的散射，从而增强CIS薄膜对光的吸收，有利于提高薄膜太阳能电池的效率．例如，采用磁 控溅射 cu—In预制层再硫化工艺制备的CIS平面薄膜，在400～1400nm波段范围内的反射率为 10％～ 30％，在近红外区的透射率最大达80％ 1【63；而本文采用溶剂热合成技术制备的CIS纳米纸阵列薄膜， 其反射率仅为2％一4％；在400—750nm波段内的透射率接近0，在近红外区的透射率仅有 30％左 右．另外，CIS纳米纸阵列薄膜与平面薄膜相比有更大的比表面积，用作染料敏化电池的对电极时可 以增加对电级与电解液的接触面积，能极大地促进电解质在对电极表面的还原反应． 收稿 日期：