CuGaSe2∶Ge中间带半导体材料的制备.pdfVIP

第 43卷 第 8期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．43 No．8 2014年8月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS August，2014 CuGaSez：Ge中间带半导体材料的制备 郑平平，丁铁柱，康振锋，刘文德，李 强，肖玲玲 (内蒙古大学物理科学与技术学院，内蒙古半导体光伏技术重点实验室，呼和浩特 010021) 摘要：采用脉冲激光沉积 (PLD)法在钠钙玻璃衬底上制备了CuGaSe：：Ge薄膜。采用 x射线衍射仪(XRD)、扫描电 子显微镜 (SEM)对 CuGaSe，：Ge薄膜 的晶体结构和表面形貌进行 了表征，采用紫外-可见分光光度计分析了 CuGaSe：Ge薄膜的光吸收、反射和透射特性。结果表明，在CuGaSe 中掺IV族元素Ge，价带到中间带和中间带到 导带的光子吸收能量分别为0．89eV和0．71eV，禁带宽度为 1．60eV，能够形成中间带。 关键词：脉冲激光沉积；CuGaSe：Ge薄膜；中间带 ；禁带宽度 中图分类号 ：TN304 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2014)08·1921-05 Preparation ofIntermediateBandSemiconductorM aterialsCuGaSe2：Ge ZHENGPing-ping，DINGTie-zhu，KANGZhen-feng，LIUWen—de，LIQiang，XIAOLing—ling (InnerMongoliaKeyLaboratoryofSemiconductorPhotovohaicTechnology，SchoolofPhysicalScienceandTechnology， InnerMongoliaUniversity，Hohhot010021，China) (Received24March2014，accepted30Apr／l2014) Abstract：TheCuGaSe2：Gefilm werepreparedon soda—limeglasssubstratesbypulselaserdeposition (PLD)method．ThecrystalstructureandfilmsurfacemorphologywerecharacterizedbyXraydiffraction (XRD)，ScanningElectronMicroscopy(SEM)．Thelightabsoprtion，reflectionandtransmission characteristicswereanalyzedbyUV—visiblespectrophotometer．Theresultsshow thatthedopeofgroupIV atom GeinCuGaSe2，thephotonabsoprtioneneryg were0．89eV and0．71eV，theopticalbandgapis1． 6O eV andcapableofformingtheintemr ediateband． Keywords：pulselaserdeposition；CuGaSe2：Gefilm ；intemr ediateband；bandgap 1 引 言 中间带太阳电池是充分利用太阳光谱中的红外光子能量的一种高效率新概念太阳电池，其理论极限效 率最高能够达到63．2％，高于单节太阳能电池的极限效率，也高于两节叠层太阳能电池的极限效率¨。铜 基CuGaSe化合物，带隙非常接近中间带材料的最理想值 (2．4—2．5eV)，且吸收系数大、缺陷容限高，被用 作高效率薄膜太阳电池吸收层，是较为理想的中间带基质材料。目前，铜基薄膜太阳电池最高转换效率达到 20．8％，并获得德国Frauenhofer太阳能中心(ISE)认证 2J，也仅仅利用了部分太阳光谱能量，若在其中引入 中间带则可有效拓宽