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第37卷增刊 激光与红外
．7JⅪ7年9月 LASER＆ INFRARED 帆mber，2007
文章编号：1001-5078(2007)增刊4)944-03
韩冰1，-，王妮丽1，唐恒敬”，龚海梅1
(1．中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室r上海2C0083
2．中国科学院研究生院，北京to0039)
硫化后的少敷载流子寿命。结果显示，经过硫化处理后的InGaAs表面复合速度接近于理想的
InP／IIIGaA8双异质结材料的界面复合速度。为了更好地表征钝化效果，在硫化后的hlGaAs表
面淀积SiN，恻备了MIS结构，通过高低频C—V测试得出两者的界面态密度为8．5×10”
cm’7·eV～口
关键词：InGaAs；硫化；表面钝化；斗一PCD
中凰分类号：TN215 文献标识码：A
The ofInGaAsPassivated S
Surface witll(NH4)2
Properties
HAN Hal—meil
Bin91”，WANGNi-111，TANG
Heng-jin91一，GONG
of ofSciences
LaboratoriesofTransducer InadmteTechnicsl
(1．StateKey 1khnolo口，Shanghai Ph埘cs，ChineseAcademy
SchooloftheChinese of
200083，China；2．Graduate
sh蚰曲Bi AcademyScteuees，Be站h唔100039．China)
of treatment solutionⅢmeasuredtheaft-
easierlifetime hy
Abstrad：The_IlinorInGaAs(100)afterwith(NH)2S
that lnGaAsaftertreatment
crowsve resultshowsSRVofthe with(NH4)2S
photoeonductivitydecay(Ix-PCD)．The
solution thatofthe idealInP／InGaAsinterface．Forbetter effectof
approach nearly evaluatingsulfur，SiN，isdeposi-
for statementofinterfaceis
tedOneurhmofthe胁A8 theC—V
fabricatingMIS．nmu曲me∞uringproperties，the
confirmed．
Keywords：InGaAs；sulfur；superfacepassivation；p,-PCD
l引言
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