自顶向下贯穿腐蚀制备空腔型FBAR的方法.pdfVIP

第36卷第5期 压 电 与 声 光 Vo1．36No．5 2014年10月 PIEZOEIECTRICS ACOUST()()PTICS Oct．2014 文章编号 ：1004—2474(2014)05—0679—06 自顶 向下贯穿腐蚀制备空腔型 FBAR的方法 高 杨 ，何 移。，周 斌。，何婉婧。，李君儒。 (1．中国工程物理研究院 电子工程研究所，四川i绵阳621999；2．西南科技大学 信息工程学院，四JIl绵阳 621010； 3．重庆大学 新 型微 纳器件 与系统技术 国防重点学科实验室 ，重庆 400044) 摘 要 ：牺牲层释放是空腔型薄膜体声波谐振器 (FBAR)工艺中形成空腔结构的关键步骤 ，牺牲层释放 的效果 直接决定了空腔型 FBAR的谐振特性 。根据空腔型 FBAR中气隙的功能和结构特点，提出了 自顶向下贯穿腐蚀牺 牲层制备镂空空腔型 FBAR的创新工艺方法。为验证该方法 的可行性 ，采用 MATIAB对牺牲层腐蚀 的恒扩散系 数 (CDC)模型进行数值迭代，采用 Silvaco软件对其腐蚀过程进行仿真，根据仿真结果提出释放窗口的优化设计；采 用 ANSYS软件对镂空 FBAR的谐振特性进行有限元仿真分析 ，对 比常规 FBAR发现 ，镂空 FBAR具有较好 的谐 振特性 ，且其 阻抗零 点、阻抗极点频率 向高频段漂移 ，有效机 电耦合系数和品质因数降低 。 关键词 ：薄膜体声波谐振器 (FBAR)；空腔型；牺牲层腐蚀 ；释放窗 口；谐振仿真 中图分类号 ：TN7l3+．2 文献标识码 ：A Top-d‘own Through。·viaW etEtchingM ethodtoFabricateCavityTypeFBAR GAOYang ，HEYi ，ZHOUBin。～，HEWanjing。，LIJunru。 (1．InstituteofElectronicEngineering，ChinaAcademyofEngineeringPhysics，Mianyang621999，China；2．SchoolofInformation Engineering，SouthwestUniversityofScienceandTechnology，M ianyang621010，China；3．NationalKeyLab．ofFundamental ScienceofMicro／NanoDeviceandSystem Technology，ChongqingUnj、ersity．Chongqing400044．China) Abstract：Thesacrificelayerreleaseisthecrucialprocessstep to form thecavitystructureofthecavitytype film bulkacousticresonator(FBAR)，andthesacrificelayerreleaseresultdirectlydeterminestheresonancecharae teristicsofthecavitytypeFBAR．Basedontheinsightofthefunctionalandstructuralcharacteristicsoftheairgap inthecavitytypeFBAR，anovelprocessmethodnamedasthetop—downthroughviawetetchingtofabricatetheap— erturedcavitytypeFBAR isproposed．Tovalidatefeasibilityofthenovelfabricationmethod，theconstantdiffusion coefficient(CDC)modelnumericaliterationofsacrificiallayersco