采用磁过滤阴极弧沉积技术制备含Ti类金刚石薄膜研究.pdfVIP

2006全国荷电粒子源粒子束学术会议文集 采用磁过滤阴极弧沉积技术制备含Ti类金刚石薄膜的研究 张旭13王耀辉，吴先映，李强，张荟星，张孝吉 1北京师范大学低能核物理研究所， 北京市辐射中心100875北京 摘要· 采用磁过滤阴极弧沉积技术以金属n为阴极在真空室中加入C2】H2气体来制备含 面类金刚石薄膜，研究不同的过滤弯管磁场和在有过滤磁场存在条件下不同的 C2H2气压对含甄类金刚石薄膜的成分和组织结构的影响规律。实验结果表明：薄 膜是由TiC和类金刚石两种结构组成的复合薄膜。C2H2气压和过滤弯管电流都对 含Ⅲ类金刚石薄膜的成分和组织结构有显著的影响。增加C2H2气压和过滤弯管 电流都使薄膜中Ⅲ元素的原子百分含量逐渐下降，C元素的原子百分含量逐渐增 加，TiC峰强度逐渐降低，半高宽逐渐增加。 关键词l磁过滤；类金刚石膜 磁过滤阴极弧沉积技术是近年来在真空沉积技术基础上发展起来的一种新型薄膜制备方法， 它通过磁等离子体过滤技术，过滤掉电弧源产生的大颗粒和中性原子，得到无大颗粒的纯等离子 柬，不仅有效的克服了普通弧源沉积方法中由于大颗粒的存在而产生的问题，而且制备的薄膜具 有优异的性能。磁过滤阴极弧沉积技术是一种适用范围很广泛的薄膜制备方法，可以制备单质金 属或导电非金属及其合金膜，而且可以制备金属化合物薄膜如氮化物和碳化物陶瓷膜TLIq、ZrN、 研列51，在沉积系统加入反应气体的条件下，反应气体也会受到过滤磁场的作用，对整个沉积过 程产生影响，但目前我们还没有发现文献中有类似的研究工作。因而本研究工作利用磁过滤阴极 弧沉积技术制备含瓢类金刚石薄膜，研究过滤弯管磁场和在有过滤磁场存在条件下不同的C2H2 气压对含-Ii类金刚石薄膜的成分和组织结构的影响规律。 1实验方法 含Ti类金刚石薄膜沉积是在磁过滤等真空阴极弧沉积(FAD)系统上进行的，FAD系统由真 空系统、等离子体源及磁过滤系统组成，其结构简图见图1。阴极材料为高纯Ti金属，衬底材 料为n型单晶硅片(100晶向)村底材料，在沉积前在丙酮或酒精中超声波清洗。沉积时，首先 沉积5分钟Ti过渡层，以增加衬底材料与类金刚石薄膜的结合力，再加入C出z气体沉积含Ti类 金刚石薄膜，含Ti类金刚石薄膜的沉积参数为：衬底负偏压：200V，沉积时间；20分钟，沉积 气压l 3x10唁到1×10一；jPa，过滤弯管磁场电流：1_4A。 图l磁过滤等真空阴极弧沉积装置简图 13张旭Email：zhangxu@bnu．edu．饥，Tel：010 343 2006全国荷电粒子源粒子束学术会议文集 含砸类金刚石薄膜厚度测量采用接触式形貌仪，成分测量采用扫描电镜能谱分析方法，薄 膜内应力计算采用stoney’s公式： 矿=!』生(土一上) 7 6(1—1，，弦、RRe 。其中ts是衬底厚度，d是薄膜厚度，E和v分别是衬底材料的杨氏模量和柏松 比，＆和＆分别是硅衬底和薄膜弯曲的曲率半径。 2实验结果及讨论 含骶类金刚石薄膜的X射线光电子能谱的Cls谱和Ti2p谱见图2，从Ti2p谱可以看出； Ti元素的结合能为454eV对应的元素存在形式为TiC结构，表明在含Ⅲ类金刚石薄膜中，Ti元 素全部以TiC形式存在，而C元素的存在形式与Ti元素的有所区别，一部分以TiC(对应的结 式存在。薄膜是由TiC和类金刚石两种结构组成的复合薄膜，因而我们把它归于类金刚石薄膜类， 称为含砸(面C)类金刚石薄膜。 一 一 墨≥暑l一 一 一 。 275 280 285 2∞ 搿446450 486●∞ 描470 Energy／eV BindingEnergy／eV Binding a b 图2含n类金刚石薄膜的X射线光电子能谱结果aC