恒电位法制备不同织构氧化亚铜薄膜工艺的研究.pdfVIP

第22卷 第 5期 安 徽 建 筑 大 学学报 Vo1．22No．5 2014年 10月 Jourana1ofAnhuiJianzhuUniversity Oct．2014 恒 电位法制备不同织构氧化亚铜薄膜工艺的研究 陶方涛， 吴世龙 (安徽建筑大学，材料与化学工程学院，安徽 合肥 ) 摘 要：本文采用恒电位法探索了CuS04和乳酸溶液在摩尔比为 1：3的条件下络合，以三电极体系在导电玻 璃上沉积CuzO薄膜的最佳工艺条件 。通过分析Cu 与络合剂乳酸在不同的溶液温度，沉积电位、以及溶液 pH的条件下络合，来确定其对 CuzO薄膜的影响。采用x一射线衍射分析和扫描 电子显微镜对薄膜样 品结 构和形貌进行表征。结果表明，在Cu 与乳酸的摩尔比为 1：3，溶液温度为65℃～75oC，沉积电位为一1．2V ～ 一 2．8V，溶液的 pH一10～12的条件下，得到 (111)择优取 向生长的Cuz0薄膜，呈砖红色，致密均匀。 Cuz0膜 (200)择优取向生长的参数范围是：溶液温度65℃，沉积电位一1．2V，pH=7～9。 关键词：电沉积；摩尔比；Cu20薄膜 中图分类号 ：X703：0643．32 文献标识码：A 文章编号：1006—4540(2014)05-059-04 PreparationofCuprousOxideThinFilmswithVaried PreferentialOrientationviaP0tenti0staticM ethod TAO Fang-tao。 WU Shi—long (SchoolofMaterials＆ChemicalEngineering，AnhuiJianzhuUniversity，Hefei230022，China) Abstract：TheprocessingconditionstoprepareCus0 film onITO substratebypotentiostaticmethod wereexploredundertheconditionofmolarratioofCuSO4andlacticacid1：3inathreeelectrodesys— tern．Theeffectoftheparametersincludingdepositiontemperature，potential，andsolutionpH com— plexationon theobtainedCu2O film wereinvestigated in detail．ThepreparedCu20 sampleswere characterizedbyX—raydiffractometer(XRD)andscanningelectronicmicroscopy(SEM)．Theresults showedthatcompactanduniform brickredCu2O filmswithpreferentialorientationin (111)direction canbeobtainedundertheconditions：moleratioofCu+andlacticacidiS1：3，depositiontempera— ture，potentialandpH areintherangeof65℃ ～ 75℃ ，一 1．2V ～ 一2．8V，and10～ 12，respec— tively．Whereasthe(200)--orientedCuz0 canbeobtainedunderpotentialof一1．2V，pH of7to9。 andtemperatureat65℃． Keywords：preferentialorientation；Cu20 film ；electro--deposition 方面有很好的应用前景，有望成为继二氧化钛之 1 前 I=1