磁控溅射功率对引线支架表面沉积W组织及性能的影响.pdfVIP

第43卷 第6期 表面技术 2014年 12月 SURFACETECHNOLOGY ·33 · 磁控溅射功率对引线支架表面沉积 W 组织 及性能的影响 张光耀，高原 ，张焱，王成磊，韦文竹 ，陆小会 (桂林电子科技大学 材料科学与工程学院，广西 桂林 541004) 摘 要：目的 研究在镀铜的铁基引线支架上沉积钨薄膜的工艺及其性能。方法 利用真空磁控溅射 技术沉积制备钨薄膜层，并用SEM，EDS，XRD等技术对沉积层的组织和性能进行分析。结果 在一定的 工作气压 、温度和沉积时间下，钨沉积层厚度随着溅射功率的增大非线性增加 ，沉积层均匀性好 ，组织较 致密，与基体结合力较强，沉积层钨原子沿(110)晶面择优生长。沉积层的电阻率小于 1．5×10 ·m， 电阻温度系数小于0．0052／~C，抗氧化性较好。结论 在引线支架表面沉积金属钨可获得组织均匀致密 的薄膜，其结合力、导电性、抗氧化性能良好。 关键词：磁控溅射；薄膜；钨；导电性；结合力 中图分类号：TGI74．444 文献标识码 ：A 文章编号：1001．3660(2014)06—0033-04 EffectofMagnetronSputteringPowerontheStructureandPropertiesof DepositionW ontheSurfaceofLeadFrames ZHANG Guang-yao，GAO Yuan，ZHANG Yah，WANG Cheng-lei，WEIWen-zhu，LUXiao-hui (SchoolofMaterialsScienceandEngineering，GuilinUniversityofElectronicTechnology，Guilin541004，China) ABSTRACT：ObjectiveTostudythetechnologyandprope~iesofdepositingmetalW filmonthesnFfaceofiron—basedlead frames，whichhadbeendepositedwithCu．MethodsTungstenfilmslayerwaspreparedbyvacuum magnetronsputteringdeposition technique，andthenthestructureandpropertiesofthedepositedlayerswereanalyzedbySEM ，EDS，XRD andothertechniques． ResultsUndercertainoperatingconditionsofpressure，temperatureanddepositiontime，thethicknessoftungstendepositionlayers increasedwiththeincreaseofsputteringpower，buttheincreasewasnonlinear．Thefilm thicknessuniformityofthedepositedlayer wasgood，withdensestructureandstrongbindingforcewiththesubstrate．ThedepositedlayerfilmsbymagnetronsputteringW hadlowimpuritycontentandstablechemicalcomposition，thedepositionprocessW atomspreferredgrowtha10ngthe(110)crystal plane，andtherewasdeviationinXRD peaks．Thetungstendepositionlayershadg