磁控溅射法制备ZnO薄膜的光学特性分析.pdfVIP

第 35卷第5期 通 化 师 范 学 院 学报(自然科学) Vo1．35№ 5 2014年 1O月 JOURNALOFTONGHUA N0RMALUNIVERSITY Oct．2014 磁控溅射法制备 ZnO薄膜的光学特性分析 徐井华，崔 舒，汉 语，刘成有 (通化师范学院物理学院，吉林 通化 134002) 摘 要：该文用磁控溅射法在蓝宝石衬底上生长了ZnO薄膜，所得薄膜采用x射线衍射仪 (XRD)、原子力显微镜(AFM)、 紫外可见分光光度计(UVS)、光致荧光光谱 (PL)对样品的结构、形貌和发光特}生·进行表征．结果表明掺杂后的ZnO薄膜仍为六 角纤锌矿结构，磁控溅射镀膜样品的透射边随着退火温度的提高发生蓝移又红移现象。所有样品都有比较好的发光性能；90C 溅射镀膜样 品的表面形貌平整度较好．粒子分布均匀． 关键词：磁控溅射；ZnO薄膜；发光特性；表面形貌 中图分类号：0469 文献标志码：A 文章编号：1008—7974(2014)05—0042—03 l 引言 共溅射，且薄膜在生长过程中衬底可以匀速旋转 ，有 ZnO是一种具有六角纤锌矿结构的宽禁带半导 利于提高薄膜样品的均匀性． 体材料，室温下禁带宽度约为 3．37eV，激子束缚能 溅射过程设置参数为：镀膜时间为2h时，薄膜 却高达60meV，由于具有较大的束缚能，激子更易在 的生长过程中保持Ar的压强在0．55Pa，Ar的流量 室温下实现高效率的激光发射，是适用于在室温或 速率为 10SCCM，电源功率在 80W，基底旋转速度设 更高温度下应用的短波长发光材料 ¨一。．磁控溅射 定为 10r／min． 法是20世纪70年代迅速发展起来的一种高速溅射 2．3 退火处理 技术 ，最初用于沉积金属和光学薄膜．随着现代技术 热退火技术是薄膜材料制备过程中一种常用的 的不断完善，磁控溅射也逐渐被用来制备半导体薄 方法．磁控溅射所得的薄膜样品在制备过程中会在 膜 4 J．本文采用磁控溅射法在蓝宝石衬底上生长 薄膜内部留下内应力，形成一些缺陷，如晶粒粗大、 了ZnO薄膜，然后不同温度退火处理，研究退火温 带状组织、偏析等，为了改善薄膜质量，消除缺陷，通 度薄膜的结构、紫外透射、室温光致发光、表面形貌 常要进行退火处理，得到最优异的薄膜性能．本实验 等的影响． 中将样品置于马弗炉中退火，蓝宝石衬底 的样品退 2 实验过程 火温度分别设定为800％、900~C、1O0o℃、1100％． 2．1 衬底清洗 退火时间1h，随炉冷却至室温，得到一系列ZnO薄 将蓝宝石衬底依次用甲苯、去离子水、丙酮、去 膜． 离子水、甲苯超声清洗 30分钟，最后用大量流动的 3 测试分析 去离子水冲洗基片表面．将基片放人烘箱烘干备用． 3．1 X射线衍射谱分析 (XRD) 2．2 溅射镀膜 薄膜的结构和生长质量采用 x射线衍射仪来 实验采用了射频反应溅射的方法来制备薄膜， 进行研究．图 1是不同退火温度下的XRD衍射图 实验用薄膜生长设备为北京泰科诺科技有限公司生 谱，XRD谱显示ZnO薄膜样品为六角纤锌矿结构， 产的真空多靶磁控溅射镀膜仪，其优点为可以多靶 所有样品的XRD谱线都有六个衍射峰，分别对应 { 收稿 日期 ：2014—07—25 作者简介：徐井华 (1981一)，女，吉林德惠人，硕士，教师． 基金项