室温下脉冲激光沉积制备高取向度氮化铝薄膜研究.pdfVIP

$十__●■％●■●●_．tt-^-ltl_●l●t 室温下脉冲激光沉积制备高取向度氮化铝薄膜的研究。 吕磊1，李清山1，李丽1，张立春1，齐红霞1，王彩凤1，郑萌萌2 (1曲卓师范大学物理系，山东．273165l2曲阜师范大学激光研究所，山东，273165) 摘要；用脉冲赦光沉积(哪)方法，在p-si(100)村底上室温下不同氮气(№)氯寓中制鲁了高度取向钓氮化铝(心)薄膜， 并利用x射线衍射仪、傅立叶变换红外光谱仪和扫描电子显徽镜封样品的特征进行了研究．结果表明，在从真空到5P鼻的N2气压 范围内，制备的薄膜都呈现高度的h(10盼晶向，并且随着气压的升高．样品的结晶度有明显的提高．另外，随着N2浓度的增大， AI-N键的结合度增强，AIN晶粒的尺寸增大，在样品表面}}I现杂散晶粒．薄膜的粗糙度增大． 关键词：蕾化铝薄膜：脉冲激光沉积：商取向度，室温，氮气气压 PACC：6855．6860,8115I．8115N,8160c 中圈分类号：0484，l文献标识码rA 1引言 由于m．V族金属氮化物半导体在光电子学和声学等领域具有优异的性质而日益受到关 注，氮化铝(A1N)是其中的一种重要材料。AlN是直接带隙(6．2iv)纤锌矿结构半导体， 电阻率高(10”ocm)，热导率高(320W／inK)，耐高温，耐化学腐蚀。它的热膨胀系数 性质使它成为高温高能电子、光电子和微电子器件生产中的理想材料。此外，AIN还可作为外 延生长氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)材料的优质缓冲层。¨，41目前，研究的重点仍集中 在高质量AIN薄膜的制各上。 射频反应溅射(rfRS)，【，J化学汽相沉积(CVD)，【6】金属有机物化学汽相沉积 制各A1N薄膜，但是MOCVD和MBE方法需要较高的衬底温度(≥800℃)，这就可能引起界 面之间的反应，从而导致薄膜的非晶态生长。PLD技术利用高能激光烧蚀靶材，形成高温等 离子体，等离子体中的粒子具有较高的动能，从而有效降低了对衬底温度的要求。事实上， 利用PLD技术已成功地在一些晶格适配的衬底上较低衬底温度下外延生长了质量较高的薄 膜，【l。“J但是，在Si衬底上室温下生长出高取向度A1N薄膜还鲜有报道。 本文中，我们利用PLD技术，在p．Si(100)衬底上室温下成功生长了具有高取向度的A1N 薄膜，并研究了沉积气压对薄膜质量的影响。 2实验 A1N薄膜是在一个本底真空为5x104Pa的真空室中制各的，系统装置示意于图l。激光 ns)， 光源采用德国TuiLaser公司的ThinFilmStar-20型KrF准分子激光器(X：248m，z=20 脉冲激光以450角斜入射到A1N靶上，脉冲能量密度为5J／cm2，频率为5Hz。为保证薄膜的均 匀性和防止靶的钻孔，衬底和靶分别以一定的频率匀速转动。在沉积薄膜之前，先用1000个 激光脉冲溅射AIN靶材以去除表面的氧化层。衬底平行地置于距离靶正前方5cm处，硅片在 放入沉积室之前分别经过丙酮和无水乙醇超声波清洗。所制备薄膜的结晶度由BD2000型x +山东省自然科学基金赍助项目，基金号：Y2002A09 Emaih corn qufulvlei@163 ”_■●■R●■●¨．_t-”老l-●●$●t 的NEXUS-470型傅立叶变换红外(FFIR)光谱仪表征，同时，样品的表面形貌由日本电子株 式会社的JSM-6700型场发射扫描电子显微镜(SEM)测定。 3结果与讨论 图2是在不同N2气压下制备的AIN薄膜的XRD图谱。从图中可以看出，在从真空到SPa 晶向，表明我们用PLD方法在p-Si000)衬底上室温下制各了高取向度的AIN薄膜，类似的结 果文献中鲜有报道，我们把这归因于沉积室中较高的本底真空度和薄膜制备前的各项预处理 工作，这些因素大大降低了杂质的影响，使所制备的薄膜具有较高的质量。从图中还可以看 出，随着气压的升高，衍射峰的强度有大幅度的增大，表明通过适当增大沉积室中Nz的浓度 可以有效地改善薄膜的结晶度，这与文献【1引中的结论是一致的。 为进一步研究薄膜的结构性质，我们根据Scherrer公式¨’】计算出了不同N2气压下A1N 晶粒的尺寸，表1给出不同N2气压下制各的A1N薄膜的XRD衍射峰的半高全宽(FWHM) 以及相应的晶粒尺寸． 随着N2的升高，晶粒尺寸由48．8nm增大到59．2